[实用新型]一种接触式曝光掩膜版有效
申请号: | 201220316234.3 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN203164592U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 信恩龙;李喜峰;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 曝光 掩膜版 | ||
1.一种接触式曝光掩膜版,包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜,光刻工艺得到铬薄膜图案,铬薄膜图案上覆一层导电膜。
2.如权利要求1所述的接触式曝光掩膜版,其特征在于所述玻璃基板是正方形,边长为200mm,厚度3-8mm。
3.如权利要求1所述的接触式曝光掩膜版,其特征在于所述铬薄膜是溅射或沉积在玻璃基板上的,厚度为100-200nm。
4.如权利要求1所述的接触式曝光掩膜版,其特征在于:所述导电膜为透明导电膜,该透明导电膜为透明铟锡金属氧化物ITO薄膜,透明导电膜是正方形,边长为200mm,厚度为50-100nm。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备