[实用新型]用于电子标签中高频接口的过流保护器有效
申请号: | 201220316362.8 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN202633935U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 曾维亮 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子标签 高频 接口 保护 | ||
1.用于电子标签中高频接口的过流保护器,其特征在于:包括第一电阻(R1)、反相器(INV1)、第一PMOS管(P1)及第二PMOS管(P2),所述第一电阻(R1)两端分别与第一PMOS管(P1)漏极和第二PMOS管(P2)源极连接,第一PMOS管(P1)的源极接地,所述第二PMOS管(P2)为二极管连接的MOS管,所述反相器(INV1)的输入端与第二PMOS管(P2)漏极连接,反相器(INV1)的输出端与第一PMOS管(P1)栅极连接,所述第一PMOS管(P1)漏极与第一电阻(R1)之间的线路上连接有直流电压输入线(1)。
2.根据权利要求1所述的用于电子标签中高频接口的过流保护器,其特征在于:还包括第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)及第三NMOS管(N3),所述第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)及第三NMOS管(N3)三者的栅极均连接在第二PMOS管(P2)源极与第一电阻(R1)之间的线路上,所述第一NMOS管(N1)漏极与第二PMOS管(P2)漏极和反相器(INV1)之间的线路连接,第二NMOS管(N2)的源极和漏极分别与第三NMOS管(N3)漏极和第一NMOS管(N1)源极连接,第三NMOS管(N3)源极接地。
3.根据权利要求1或2所述的用于电子标签中高频接口的过流保护器,其特征在于:所述第一电阻(R1)为压敏电阻。
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