[实用新型]具有高空穴浓度的半导体结构及发光二极管有效
| 申请号： | 201220316929.1 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN202940268U | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 陈晓炜;孙谢阳 | 申请（专利权）人： | 西安华新联合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 空穴 浓度 半导体 结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高空穴浓度的半导体结构，包括：
一基板；
一电子传输层，位于该基板上；
一发光层，位于该电子传输层上；以及
一空穴注入层，位于该发光层上，其中该空穴注入层具有至少1018～1020/cm3的空穴浓度。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该空穴注入层具有至少1019～1020/cm3的空穴浓度。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板为硅基板、氮化镓基板、碳化硅基板或蓝宝石基板。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该电子传输层与该空穴注入层是由一III-V族化合物半导体材料所制成。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该空穴注入层包含有一p型杂质。
6.一种具有高空穴浓度的发光二极管，包括：
一基板；
一电子传输层，位于该基板上；
一发光层，位于该电子传输层上且露出部分该电子传输层；
一空穴注入层，位于该发光层上，其中该空穴注入层具有至少1018～1020/cm3的空穴浓度；
一第一电极，位于该露出部分的该电子传输层上；以及
一第二电极，位于该空穴注入层上。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该空穴注入层具有至少1019～1020/cm3的空穴浓度。
8.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该空穴注入层包含有一p型杂质。
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