[实用新型]低功率、低延时的功率门控设备有效

专利信息
申请号: 201220317075.9 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN203071897U 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: S·保罗;J·A·翁 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H03K17/28 分类号: H03K17/28;H03K17/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 功率 延时 门控 设备
【权利要求书】:

1.一种用于功率门控的设备,包括: 

功率门控单元,其具有至少一个晶体管,所述功率门控单元被配置成转换到第一状态,在所述第一状态中,电压源由所述功率门控单元控制为具有第一电平,并且所述功率门控单元被配置为转换到第二状态,在所述第二状态中,所述电压源由所述功率门控单元控制为具有高于所述第一电平的第二电平; 

限流器单元,其被耦合到所述功率门控单元,并且被配置为在转换到所述第二状态期间降低电流的大小和变化率;以及 

延迟单元,其被耦合到所述功率门控单元以及所述限流器单元,并且被配置为在转换到所述第一状态期间去除所述功率门控单元中的短路路径, 

其中所述功率门控单元包括逻辑器件,所述逻辑器件被配置为延迟所述电压源向所述第二电平的增大,并且在所述电压源增大到所述第二电平的同时保持所述至少一个晶体管去激活。 

2.根据权利要求1所述的设备,其中为了在转换到所述第二状态期间降低所述电流的大小,所述限流器单元包括并且被配置为操作尺寸比所述功率门控单元的所述至少一个晶体管的尺寸小的晶体管。 

3.根据权利要求1所述的设备,还包括与所述功率门控单元串联耦合的至少另一功率门控单元,其中所述至少另一功率门控单元与所述功率门控单元具有相同的部件和配置,并且其中基于用于接收所述电压源的电子部件的尺寸和功耗规格来选择所述至少另一功率门控单元的数量。 

4.根据权利要求1所述的设备,还包括: 

至少一个延迟元件,其被耦合到单个所述功率门控单元的下游;以及 

至少一个其他功率门控单元,其被耦合到所述至少一个延迟元件的下游,所述至少一个其他功率门控单元不具有延迟元件并且具有尺寸大于所 述至少一个晶体管的尺寸的晶体管,其中所述至少一个其他功率门控单元的所述晶体管被配置为将所述电压源转换到所述第一电平和所述第二电平。 

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述功率门控单元被配置为接收输入信号,并且其中所述功率门控单元的逻辑器件包括: 

上拉晶体管,其被耦合到所述至少一个晶体管,并且被配置为响应于所述输入信号的第一逻辑电平而激活,以在转换到所述第一状态期间将所述至少一个晶体管去激活;以及 

下拉晶体管,其被耦合到所述上拉晶体管和所述至少一个晶体管, 

其中所述上拉晶体管被配置为响应于所述输入信号的第二逻辑电平而去激活,以在转换到所述第二状态期间开始激活所述下拉晶体管,以及 

其中所述下拉晶体管的激活不完全,以在所述第二状态期间所述电压源向所述第二电平增大的同时保持所述至少一个晶体管去激活,直到所述电压源达到所述第二电平之后。 

6.根据权利要求5所述的设备,其中所述至少一个晶体管包括: 

第一晶体管,在所述第二状态期间所述电压源向所述第二电平增大的同时保持所述第一晶体管去激活,并且当达到所述第二电平时,所述第一晶体管被激活; 

第二晶体管,其被耦合到所述第一晶体管,并且被配置为当所述第一晶体管激活时被激活;以及 

第三晶体管,其被配置为响应于所述第二晶体管的激活而激活,以完成所述第一晶体管的激活,从而使所述电压源处于所述第二电平。 

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述功率门控单元被配置为加速转换到所述第一状态,以在转换到所述第一状态期间降低功耗,并且其中所述功率门控单元没有额外的延迟单元,以在处于所述第一状态或所述第二状态的同时降低功耗。 

8.一种用于功率门控的系统,包括: 

负载; 

功率门控单元,其被耦合到所述负载并且具有至少一个晶体管,所述功率门控单元被配置为转换到第一状态,在所述第一状态中,所述负载的电压源由所述功率门控单元控制为具有第一电平,并且所述功率门控单元被配置为转换到第二状态,在所述第二状态中,所述负载的所述电压源由所述功率门控单元控制为具有高于所述第一电平并近似等于满操作电平的第二电平;以及 

限流器单元,其被耦合到所述功率门控单元,并且被配置为在转换到所述第二状态期间降低电流的大小, 

其中所述功率门控单元包括逻辑器件,所述逻辑器件被配置为延迟所述电压源向所述第二电平的增大,并且在所述电压源增大到所述第二电平的同时保持所述至少一个晶体管去激活。 

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述负载包括移动设备的电子部件。 

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