[实用新型]具有双层高度的铜排结构有效
申请号: | 201220318912.X | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN202652049U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 何来传 | 申请(专利权)人: | 巢湖市金辉自控设备有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 丁瑞瑞 |
地址: | 238000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 双层 高度 结构 | ||
【权利要求书】:
1.一种具有双层高度的铜排结构,其特征在于,包括两个具有安装孔的安装部分和一个连接部分,所述两个安装部分由连接部分连接成两层高度。
2.根据权利要求1所述的具有双层高度的铜排结构,其特征在于,所述两个安装部分设为长条形,且相互平行。
3.根据权利要求2所述的具有双层高度的铜排结构,其特征在于,所述连接部分在一个安装部分的连接处设有延长段,且所述延长段与所述两个安装部分相垂直。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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