[实用新型]共晶机

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种共晶机。

【背景技术】

在现有技术中，LED芯片一般通过共晶的方式固定于基板上，使用共晶方式固定主要有两种方法，采用第一种方法时，首先在基板上点上膏状共晶焊料，再把LED芯片放置在基板的对应位置上，然后加温基板，焊料溶解后即可将LED芯片焊接于基板上；共晶的另一种焊接方法是把基板加温到固态焊料的溶点，然后在基板上溶上焊料，最后将LED芯片放在基板上焊接；此外，还有少数情况下把共晶焊料预先镀在芯片上，然后直接把整个芯片加温至焊料溶点后放置在基板上。

以上现有共晶技术均无法控制共晶材料的流动性及共晶层空洞的比率，从而影响产品质量。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于克服现有技术中无法控制共晶材料的流动性及共晶层空洞比率偏高之不足，提出的一种新型共晶机。

本实用新型是通过以下技术方案来实现的：

所述共晶机包括进料装置、传送装置、预加热装置、加热装置及收料装置；所述预加热装置及所述加热装置设置于所述进料装置与所述出料装置之间，所述进料装置、预加热装置、加热装置及收料装置通过所述传送装置相连接；所述加热装置上还设有一真空密封装置，所述传送装置上设有固定装置。

进一步地，所述真空密封装置包括上密封盒、下密封盒、进气嘴及出气嘴。

进一步地，所述进料装置为一进料盒，所述收料装置为一收料盒；所述传送装置为一传送轨。

进一步地，所述固定装置为一压板。

进一步地，所述预加热装置及所述加热装置为均板状加热块。

本实用新型的有益效果在于：解决了共晶过程中焊料层因气泡而引起的空洞问题，有效增进共晶焊料的流淌。从而保证了LED芯片的可靠性，提高了产品质量。

【附图说明】

图1为本实用新型分解结构示意图。

图2为本实用新型侧面结构示意图。

附图标记：1、进料盒；2、收料盒；3、传送轨；4、真空装置；5、压板；6、预加热装置；7、加热装置；401、上密封盒；402、下密封盒；403、进气嘴；404、出气嘴；

【具体实施方式】

下面结合附图及具体实施方式对本实用新型做进一步描述：

如图1及图2所示，所述共晶机包括进料装置、传送装置、预加热装置6、加热装置7及收料装置；所述预加热装置6及所述加热装置7设置于所述进料装置与所述出料装置之间，所述进料装置、预加热装置6、加热装置7及收料装置通过所述传送装置相连接；所述加热装置7上还设有一真空密封装置，所述传送装置上设有固定装置。通过真空装置4使焊接环境维持在真空状态，从而解决了共晶过程中焊料层因气泡而引起的空洞问题，有效增进共晶焊料的流淌。

如图1所示，在一优选实施例中，所述真空密封装置包括上密封盒401、下密封盒402、进气嘴403及出气嘴404。所述出气嘴404可以外接真空器将对上下密封盒402内抽真空，所述进气嘴403可以用于在焊接完成后向上下密封盒402内通入氮气促进焊料冷却固化。

如图1所示，在一优选实施例中，所述进料装置为一进料盒1，所述收料装置为一收料盒2；所述传送装置为一传送轨3。

如图1所示，在一优选实施例中，所述固定装置为一压板5。

如图1所示，在一优选实施例中，所述预加热装置6及所述加热装置7为均板状加热块。板状加热块可以在同一平面上进行均匀加热，有助于共晶效果。

本实用新型使用方法如下：

(1)在基板上点上共晶焊料，再将若干LED芯片置于所述基板的设定位置上；

(2)预加热，对上述基板进行预加热至设定温度，所述设定温度低于所述共晶焊料熔点；预加热过的基板在之后的加热过程中可以有效避免晶片翘起或焊料厚度分布不均的问题，提高产品质量。

(3)真空加热焊接，将上述基板置于真空环境下进行加热，加热温度应当高于所述共晶焊料熔点，加热完成后真空晶焊开始；加热时可以先将加热块升温至设定值，然后在真空环境形成后使所述加热块与基板接触，提高生产效率；通过真空装置使焊接环境维持在真空状态，从而解决了共晶过程中焊料层因气泡而引起的空洞问题，有效增进共晶焊料的流淌。

在一优选实施例中，步骤(2)中所述设定温度一般为100摄氏度至150摄氏度；步骤(3)中所述加热温度一般为220摄氏度至300摄氏度。

在一优选实施例中，其特征在于：步骤(3)中所述真空度可以为0.1mPa，所述真空晶焊时间约为10秒至100秒。