[实用新型]一种基于巨磁阻抗相位响应的磁传感器有效

专利信息
申请号: 201220320578.1 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN202614920U 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 王三胜;宁晓帅 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 周长琪
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 磁阻 相位 响应 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于巨磁阻抗相位响应的磁传感器,其特征在于:包括敏感元件、信号发生器、稳流电路、前置放大器、移相器、相位测量器、低通滤波器、差分放大器以及参考电压源;

其中,信号发生器用来向移相器与稳流电路输出正弦信号;

稳流电路用来对信号发生器输出的正弦信号幅值进行调制,得到输出频率、幅值稳定的交流电流输出至敏感元件;

前置放大器用来对敏感元件两端输出电压信号进行放大,经放大后的敏感元件两端输出电压信号作为测试信号;

移相器用来调节信号发生器输出的正弦信号相位,作为基准信号,使基准信号与测试信号间的相位差始终稳定在相位测量信号的线性工作区间;

相位测量器对基准信号和测试信号进行测量,向低通滤波器输出反映两路信号相位差的直流电压信号;

低通滤波器用来消除相位测量电路输出的直流电压信号的噪声;

参考电压源用来向差分放大器提供稳定的参考电压;

差分放大器采用为高精度低噪声放大器,将参考电压与经低通滤波器输出的消除噪声后的直流电压信号进行差分运算并进行放大,得到磁传感器的输出电压信号。

2.如权利要求1所述一种基于巨磁阻抗相位响应的磁传感器,其特征在于:所述敏感元件为钴基非晶丝。

3.如权利要求2所述一种基于巨磁阻抗相位响应的磁传感器,其特征在于:所述钴基非晶丝经磁场退火的热处理方式进行处理。

4.如权利要求1所述一种基于巨磁阻抗相位响应的磁传感器,其特征在于:所述相位测量芯片采用单片集成芯片进行测量。 

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