[实用新型]一种薄膜太阳能芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能芯片，具体涉及一种薄膜太阳能芯片。

背景技术

薄膜太阳能光伏电池能提供大面积，低成本的有效公共电力发电，现有的薄膜铜铟镓硒芯片在镀膜过程中，必须调离真空系统，进行切割成型，使两个邻近薄膜芯片的顶层及底层电极能串联，一般钼底层电极的成型是使用光刻湿法，或激光切割；这些工艺必须将尚未封装的铜铟镓硒半成品芯片暴露大气，引起针孔的产生；同时，当若使用机械切割，它对玻璃基板造成的损伤，或使用高温激光切割时，它对其薄膜的损伤等，故此，将两个邻近薄膜“芯片”的顶层和底层电极串联，所需进行的切割成型，是一项十分耗时的工艺，需将使半成品芯片暴露大气，制造薄膜太阳能芯片受污染，有针孔，影响生产效率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种无针孔并能够大量生产的薄膜太阳能芯片。

为解决上述的技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：一种薄膜太阳能芯片，1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜层电镀在1.0毫米标准厚度的玻璃基板上，中间有钼薄膜所述铜铟镓硒薄膜层上面镀有硫化镉薄膜层、氧化锌绝缘层和透明导电氧化锌参铝薄膜层，所述玻璃基板内有光刻胶或其它绝缘体，还铺有金属电极薄膜。

所述透明导电氧化锌参铝薄膜层上镀镍。

所述镍上有导电铝薄膜，该导电铝薄膜上面加上一层保护镍薄膜。

所述保护镍薄膜上有钠钙覆盖玻璃。

本实用新型薄膜太阳能芯片在生产成型过程中铜铟镓硒芯片的钼电极层有0.35微米，使用较厚的光刻胶或其它绝缘体，上面铺上金属电极薄膜，在溅射薄膜时，整个薄膜层溅射过程无需离开真空环境，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生产。

附图说明

图1为本实用新型的横截面图。

具体实施方式

如图1所示，一种薄膜太阳能芯片，1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜层3电镀在1.0毫米标准厚度的玻璃基板上1，中间有钼薄膜2所述铜铟镓硒薄膜层3上面镀有硫化镉薄膜层4、氧化锌绝缘层5和透明导电氧化锌参铝薄膜层6，所述玻璃基板1内有光刻胶或其它绝缘体，还铺有金属电极薄膜，透明导电氧化锌参铝薄膜层6上镀镍7，该镍7上有导电铝薄膜8，该导电铝薄膜8上面加上一层保护镍薄膜9，该保护镍薄膜9上有钠钙覆盖玻璃10。

实施例：图1所示，是事先在玻璃基板1上铺好横杆荫罩，将钼真空溅射，覆盖于上，使用光刻胶铺盖玻璃基板1上，形成凸出的横柱，使钼电极在芯片与芯片间断开，一般的有机发光二极管的薄膜厚度只有0.06微米，而铜铟镓硒芯片的钼电极层有0.35微米，因此我们需要使用较厚的光刻胶或其它绝缘体，上面铺上金属电极薄膜，钼以上的三层薄膜，芯片间隔是5到20毫米，假设上层的负电极-氧化锌的电阻是40Ohms/sq，厚度是0.15微米。

以上的几何形状是可以适应我们建议的接触荫罩横杆，则防止溅射镀膜到芯片间的间隔，省除掉切割工艺，无需用切割方式，切开一条已镀上薄膜材料的间隔，我们建议的荫罩可以是一张绷紧的金属铁片，也可以是钢丝，保证荫罩的平整，没有扭曲，影响芯片间的间隔的完好，绷紧的金属丝可支撑荫罩钢丝，不必在金属荫罩上加添横向达桥，此外，我们将使用定向性的荫罩，可保证电镀材料能垂直溅射于玻璃基板上，通常情况下，为此目的的荫罩架可以使用5英寸x 5英寸大小的钢架，典型钢丝的直径是50+/-10微米，圆状金属钢丝，在框架两边拉紧，并在加热时收紧，方便在450 deg C高温溅射铜铟镓硒薄膜时，仍有足够的张力，保持良好的荫罩功能。

荫罩丝网的线宽要随时做好记录，保证任何时候不超过+/-15微米的偏差。金属荫罩需尽量靠近靶材，使溅射离子成垂直方向。此做法之另一优点是促使最窄的线宽成型，进而提高电池的转换效率。

铜铟镓硒薄膜层3的基板温度控制在400C到520C，铜铟镓硒薄膜层3使用脉冲直流溅射，氧化锌及硫化镉使用射频溅射，由于无需离开真空状态，针孔的形成会减小，绝缘层被取消的可能，也有可能避免使用有毒的镉，在镀上负电极-氧化锌薄膜层后，并在真空环境内或大气环境退火后，玻璃基板需电镀很薄一层0.05微米的镍和3微米的铝方块导电网络层，这两层薄膜皆能在真空系统镀膜。