[实用新型]双压输出逆变器有效
| 申请号： | 201220322139.4 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN202663318U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 印兴华 | 申请（专利权）人： | 重庆乾威科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 谢殿武 |
| 地址： | 400039 重庆市九龙坡*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 输出 逆变器 | ||
1.一种双压输出逆变器，其特征是：包括
整流模块，用于将由磁电机输入的三相电进行整流，输出直流电压V+与直流电压V-两路电压；
逆变模块，其输入端与整流模块的输出端连接，用于将整流模块输出的直流电压V+与直流电压V-转换成交流电压Uo1与交流电压Uo2输出，并且可将交流电压Uo1与交流电压Uo2叠加输出交流电压Uo。
2.根据权利要求1所述双压输出逆变器，其特征是：所述逆变模块包括IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4、第一电阻RL、第二电阻RL1和第三电阻RL2；
所述IGBT1的集电极接于直流电压V+的输出端，IGBT1的发射极接于IGBT2的集电极，所述IGBT3的集电极接于直流电压V+的输出端，IGBT3的发射极接于IGBT4的集电极，所述IGBT2和IGBT4的发射极均接于直流电压V-的输出端；所述IGBT1的发射极通过第三电阻RL2接地，所述IGBT3的发射极通过第二电阻RL1接地；所述IGBT1、IGBT2、IGBT3和IGBT4的栅极接于驱动控制器，所述IGBT1的发射极引出端子A作为电压Uo2的输出端，所述IGBT3的发射极引出端子B作为电压Uo1的输出端，所述端子A和端子B通过第二电阻RL连通。
3.根据权利要求2所述双压输出逆变器，其特征是：还包括第一极性电容C1和第二极性电容C2，所述第一极性电容C1的正极接于直流电压V+输出端，其负极接地，所述第二极性电容C2的负极接于直流电压V-输出端，其正极接地。
4.根据权利要求3所述双压输出逆变器，其特征是：所述整流模块为可控硅整流电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆乾威科技有限公司，未经重庆乾威科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220322139.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
