[实用新型]一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路有效
| 申请号： | 201220322870.7 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN202737731U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 郑再平;龙海峰;黄玉平;王春明;郑继贵;皮利萍 | 申请（专利权）人： | 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02H9/04 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 可靠 mosfet 功率 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于：该电路包括二极管（1）、电阻R1（2）、电阻R2（3）和MOSFET功率管（6）；所述二极管（1）的正极与电阻R1（2）串连，串联后的结构与电阻R2（3）并联；电阻R1（2）和电阻R2（3）的公共端与MOSFET功率管（6）的栅极G连接；所述MOSFET功率管（6）的源极S接地。
2.根据权利要求1所述的防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于：所述MOSFET功率管（6）的栅极G与源极S之间并联有稳压管（4）。
3.根据权利要求1或2所述的防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于：所述MOSFET功率管（6）的栅极G与源极S之间并联有电容（5）。
4.根据权利要求2所述的防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于：所述稳压管（4）为+15V稳压管。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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