[实用新型]半导体结构及其封装构造有效

专利信息
申请号: 201220323951.9 申请日: 2012-07-05
公开(公告)号: CN202758871U 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 郭志明;何荣华;林恭安;陈昇晖 申请(专利权)人: 颀邦科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 封装 构造
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,其特征在于其至少包含:

一个载体,其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层;以及

多个钮扣状凸块,其形成于所述凸块下金属层上,各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部,各该承载部具有承载面,各该承载面具有第一区及第二区,各该接合部覆盖各该承载面的该第一区,且各该承载部具有第一厚度,各该接合部具有第二厚度。

2.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于其另包含有镀金层,该镀金层包覆各该钮扣状凸块。

3.如权利要求2所述的半导体结构,其特征在于各该凸块下金属层具有环壁,该镀金层包覆所述环壁。

4.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于该第二厚度大于该第一厚度。

5.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于各该承载部包含有第一承载层及第二承载层。

6.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述承载部的材质选自于金、镍或铜。

7.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述接合部的材质选自于金、镍或铜。

8.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述凸块下金属层的材质选自于钛-铜、钛钨-铜或钛钨-金。

9.一种半导体封装构造,其特征在于其至少包含:

一个半导体结构,其包含:

一个载体,其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层;及

多个钮扣状凸块,其形成于所述凸块下金属层上,各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部,各该承载部具有承载面,各该承载面具有第一区及第二区,各该接合部覆盖各该承载面的该第一区,且各该承载部具有第一厚度,各该接合部具有第二厚度;以及

一个基板,其具有多个连接元件及多个焊料,各该焊料形成于各该连接元件上,所述连接元件结合于所述钮扣状凸块的所述接合部,所述焊料包覆所述接合部且所述焊料连接所述承载部及所述连接元件。

10.如权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于所述焊料限位于所述承载面的所述第二区。

11.如权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于各该连接元件具有外侧壁,该基板另具有多个金属环,各该金属环包覆各该外侧壁。 

12.如权利要求11所述的半导体封装构造,其特征在于所述金属环的材质为金。

13.如权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于该第二厚度大于该第一厚度。

14.如权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于所述承载部的材质选自于金、镍或铜。

15.如权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于所述接合部的材质选自于金、镍或铜。

16.如权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于所述凸块下金属层的材质选自于钛-铜、钛钨-铜或钛钨-金。 

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