[实用新型]一种具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃有效
申请号: | 201220324150.4 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN202772161U | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 夏普 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/048 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 乔玉萍;孙诗雨 |
地址: | 450006 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 缺阵 增大 面积 太阳能 玻璃 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池光伏玻璃技术领域,尤其涉及一种具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃。
背景技术
目前,随着能源紧张,太阳能光伏电池发展迅速,而作为太阳能光伏电池的盖板玻璃—目前,随着能源紧张,太阳能光伏电池发展迅速,而作为太阳能光伏电池的盖板玻璃—低铁太阳能光伏玻璃,其透光率的高低,直接影响太阳能光伏电池的功率,而低铁太阳能光伏玻璃的透光率,除去含铁量的影响外,花型结构起到关键性的作用。
当前国内外主要光伏玻璃生产企业,主要研究花型相对较浅的光伏玻璃,太阳光照射玻璃(即光伏组件)面积没有变化。
丝网刷是制作太阳能电池的关键环节,在电池的光照面印刷一层银栅线电极,栅线分为主栅线和副栅线,其中主栅线多为1.5mm或1.6mm宽,但数量较少,副栅线80-100μm,数量相对较多。例如一片单晶硅电池TDB125(φ150)上主栅线1.5mm宽,数量为2根,副栅线80-100μm,数量为51-54根,而一块完整的光伏组件上会有若干片单晶硅电池,副栅线数量非常多。正面印刷有银栅线的地方直接遮住了太阳光,同时直接减少了光伏电池的实际受光面积,这是影响太阳能电池转换效率的一个因素。如果减少栅线数量增大光伏电池受光面积,会因为栅线数量减少影响太阳能光伏电池的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃,通过在超白玻璃表面设置花型,增大了受光面积,每组花型宽度与电池片两条副栅线之间间距相等,应用光伏组件封装时,可提光伏组件光电转换效率。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃,玻璃一面为平面,玻璃另一面有若干个透光单元阵列组成花型,单个透光单元呈球缺状。
所述的球缺半径为SR为1mm-20mm,单个球缺俯视投影为φA圆,A的取值范围为2 mm -40mm。
每两个透光单元之间由弧面过渡。
本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃上述各个尺寸可根据电池片(包括单晶硅、多晶硅等)具体尺寸、结构(包括栅线定位、间距、宽度)等进行调整,不受当前市场上电池片规格限制;
本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃的生产工艺可以为对玻璃原片进行二次加温软化在玻璃表面压制花型;
本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃的生产工艺可以为压延机压延而成,压延辊上下辊上均刻有相应花型,玻璃液通过压延辊时受压延辊连续挤压在玻璃带表面形成连续花型;
本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃生产工艺可采用上述方法,但不限于上述方法在玻璃上下表面获得花型。
采用本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃用于太阳能光伏电池组件,每组透光单元宽度与电池片两条副栅线之间间距相等,光线透过本实用新型的花型玻璃,折射后全部透过太阳能光伏玻璃到达电池片,增大了受光面积,提高了透过率,用在光伏组件可增加光电转换效率。
附图说明
图1是本实用新型的太阳能光伏玻璃的主视图。
图2是本实用新型的太阳能光伏玻璃的俯视图。
图3是单晶硅电池片栅线示意图。
图4是多晶硅电池片栅线示意图。
图5是单晶硅组件电池排列示意图。
图6为采用本实用新型的玻璃的电池组件平面图。
图7为采用本实用新型的玻璃的电池组件剖视局部放大示意图。
图8是本实用新型组件光照示意图。
图9现有技术中电池组件剖视局部放大示意图。
图10是传统组件光照示意图。
具体实施方式
本实用新型的具有球缺阵列增大受光面积的太阳能光伏玻璃,玻璃一面为平面,玻璃另一面有若干个透光单元阵列组成花型,单个透光单元呈球缺状。
所述的球缺半径为SR为1mm-20mm,单个球缺俯视投影为φA圆,A的取值范围为2 mm -40mm。
每两个透光单元之间由弧面过渡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的