[实用新型]高频连接结构有效
| 申请号： | 201220324309.2 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN202652705U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;汪杰 | 申请（专利权）人： | 苏州博海创业微系统有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/11 | 分类号： | H05K1/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 连接 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频连接结构，包括：至少两层叠置的介质层，相互间隔至少两层叠置的介质层的第一金属线路和第二金属线路以及用以使该第一金属线路与第二金属线路电连接的第一垂直连接结构，其特征在于，还包括：用以使该第一金属线路与第二金属线路电连接的第二垂直连接结构，该第二垂直连接结构邻近该第一垂直连接结构设置。
2.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：还包括设置在两两介质层交界处的用以横向连通该第一垂直连接结构与第二垂直连接结构的至少一中间金属线路。
3.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：该第一垂直连接结构和/或第二垂直连接结构是金属化孔。
4.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：该第一垂直连接结构和/或第二垂直连接结构是金属浆料填充形成的金属实体。
5.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：该第一垂直连接结构和/或第二垂直连接结构是竖直地穿越该至少两层叠置的介质层的。
6.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：该第一垂直连接结构和/或第二垂直连接结构是曲折地穿越该至少两层叠置的介质层的。
7.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：该第一垂直连接结构与第二垂直连接结构的中心间距小于20微米。
8.根据权利要求1所述的高频连接结构，其特征在于：该些介质层均为低温烧结陶瓷材质。
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