[实用新型]一种沉积非晶硅薄膜的真空设备有效
| 申请号： | 201220345633.2 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN202730228U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 芶富均 | 申请（专利权）人： | 成都达信成科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/24;C23C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610200 四川省成都市双流西南*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 非晶硅 薄膜 真空设备 | ||
【权利要求书】：
1. 一种沉积非晶硅薄膜的真空设备，包括水冷腔室和沉积腔室，其特征在于：还包括真空泵组（1），真空泵组（1）通过真空管道（10）和沉积腔室（8）相连；沉积腔室（8）通过螺栓固定在支撑平台（7）上；在沉积腔室（8）的侧面对称地设置有样品门（2）和观测窗（201）；水冷腔室（3）设置在沉积腔室（8）的外部；ETP等离子体源(4)安装于沉积腔室（8）的正上方中心轴线上，特气喷嘴（9）与真空沉积腔室（8）连接；加热系统（5）和样品台（6）置于腔室底部中心。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
