[实用新型]一种新型太阳能电池板有效
申请号: | 201220349624.0 | 申请日: | 2012-07-18 |
公开(公告)号: | CN202712213U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 沙嫣;沙晓林 | 申请(专利权)人: | 沙嫣;沙晓林 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200336 上海市延安*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 太阳能 电池板 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种薄膜电池和晶硅电池组合的太阳能电池板。
背景技术
太阳能作为清洁能源,已得到人们的高度重视,太阳能发电技术也得到迅猛发展。目前太阳能电池主要分为晶硅电池和薄膜电池。
晶硅电池的光电转化率高,国内晶硅电池转化率可以达到17%到19%。晶硅电池技术发展得较为成熟,不需频繁进行技术改造,并且晶硅电池的设备投资较低。此外由于晶硅电池的转化率高,所以晶硅电池的支架用量小、占地少、所需的电线少。正是由于上述这些优点,晶硅电池几乎占据着90%的市场份额。但是晶硅电池所采用的原材料成本波动幅度较大,近年来国际市场上的晶硅价格接连上演过山车的行情。此外,晶硅电池的弱光性差,在50-60度即会高温衰减。
相较于晶硅电池,薄膜电池所用原材料少、耗能少、可大面积连续生产,并可采用玻璃或不锈钢等低成本材料作为衬底。薄膜电池弱光效应较好,特别适合应用于沙漠光伏电站。但是薄膜电池的最大缺点是光电转化率偏低,硅基薄膜电池转换率一般在7%~8%,CIGS(铜铟镓硒)薄膜电池也只有10-11%。由于转化率低,薄膜电池所需的支架多,从而占地广、电线量大、安装费用贵,安装成本大致是晶硅电池的2.5倍。过去为了提高薄膜电池的转换率,投入大量经费用于改造设备,增加了成本,然而转化效率的提高却十分有限。
因此,需要寻求一种更理想的太阳能电池,能够兼具薄膜电池和晶硅电池的优点,并尽量克服二者的缺点。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种新型太阳能电池板,该太阳能电池将薄膜电池和晶硅电池组合在一起,兼具了晶硅电池和薄膜电池的优点,减少了二者的缺点。
本实用新型是这样实现的:
一种新型太阳能电池板,包括背板玻璃,所述新型太阳能电池板的中间部分为薄膜电池,四周、上下或左右为晶硅电池,所述薄膜电池所产生的电压电流和所述晶硅电池所产生的电压电流经过一匹配器匹配后输出。
优选地,所述薄膜电池上填充有一定厚度的填充材料,以使薄膜电池与晶硅电池具有同样的厚度。
优选地,所述填充材料为EVA。
优选地,所述背板玻璃一体层压覆盖在所述薄膜电池和所述全部晶硅电池上。
优选地,所述匹配器为一新型接线盒,所述薄膜电池的导线和所述晶硅电池的导线接入该新型接线盒中,该新型接线盒中设置有变压和限流器件,对薄膜电池和晶硅电池所产生的电能进行处理后输出。
本实用新型的有益效果在于:利用薄膜电池的发电特点,保留了薄膜电池发电高的中间部分,将发电量低的周边改为晶硅电池,从而提高了整个太阳能电池板的光电转化率,同时保留了薄膜太阳能电池板的弱光效应和耐高温能力。
附图说明
图1为本实用新型所提供的太阳能电池板的示意图。
具体实施方式
本实用新型可以通过以下的实施例来做进一步详细说明。
如图1所示,一种新型太阳能电池板1,其中间部分为薄膜电池10,四周、上下或左右为若干晶硅电池20,所述薄膜电池10所产生的电压电流和所述晶硅电池20所产生的电压电流经过一匹配器匹配后输出。
根据实际需要和晶硅电池的规格,来确定安装晶硅电池20的数目。
在较佳实施例中,新型太阳能电池板1的规格为1.1m×1.4m,中间薄膜电池10的面积约为1.048m2,四周共有30片晶硅电池20。
如果晶硅电池20为多晶硅,其规格为156mm×156mm;如果晶硅电池20为单晶硅,其规格为125mm×125mm。
在另一实施例中,新型太阳能电池板1上下两边各安装有8片晶硅电池20。
由于薄膜电池10和晶硅电池20的厚度不同,薄膜电池10上填充有一定厚度的材料,以使其与晶硅电池20具有同样的厚度。
该填充材料为EVA或其他适合的材料。
进一步地,所述新型太阳能电池板1的背板玻璃一体覆盖在薄膜电池10和全部晶硅电池20上。也就是说通过填充材料调整薄膜电池10与晶硅电池20等高,然后再利用EVA等其他粘合材料层压一块背板玻璃在整个新型太阳能电池板1上。
所述背板玻璃上设有引出薄膜电池10和晶硅电池20的导线的孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的