[实用新型]一种驻极体传声器及音频采集电路

说明书

技术领域

本实用新型属于传声器的电路设计领域，尤其涉及一种驻极体传声器及音频采集电路。

背景技术

驻极体传声器是一种将声音信号转换成电信号的器件。驻极体传声器的基本结构包括：以驻极体振动膜片为核心的声电转换电路、和以专用PN结型场效应晶体管(PN Junction FET，J-FET)为核心的阻抗变换电路，声电转换电路与阻抗变换电路封装于一金属壳体中。其中，驻极体振动膜片的蒸金面与金属壳体连接，驻极体振动膜片的另一面通过绝缘材料与一金属极板隔开，该金属极板与J-FET的栅极相接，J-FET的源极和漏极作为引出电极，对于两输出的驻极体传声器，J-FET的源极还连接金属壳体。

随着应用的广泛和技术的发展，对驻极体传声器的抗静电放电干扰能力提出了更高的要求。公知地，静电放电主要是经由J-FET的输入端侵入驻极体传声器，或经由J-FET的输出端侵入驻极体传声器。为了应对这种静电放电的干扰，如图1所示，现有技术在驻极体传声器的输出端并联一稳压管DW，该稳压管DW提供的高阻抗提供静电放电的传输通道，从而在一定程度上保护了驻极体传声器不被损坏。但由于稳压管DW置于J-FET的后端，其抗静电放电干扰能力有限，且稳压管成本高，不利于产品的广泛应用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种驻极体传声器，旨在解决现有技术提供的的驻极体传声器通过在输出端并联一稳压管的方式实现抗静电放电干扰，其抗干扰能力有限，且稳压管成本高，不利于产品应用的问题。

本实用新型是这样实现的，一种驻极体传声器，包括封装在一金属壳体中的声电转换电路和一连接所述声电转换电路的J-FET，所述驻极体传声器还包括电容C2，电容C2并联在所述J-FET的栅极和所述J-FET的源极之间。

进一步地，所述声电转换电路可以包括一金属极板和一驻极体振动膜片；所述J-FET的栅极连接所述金属极板，所述驻极体振动膜片的蒸金面与所述金属壳体连接，所述J-FET的源极与所述金属壳体连接，所述J-FET的漏极作为所述驻极体传声器的正输出电极而被引出，所述J-FET的源极作为所述驻极体传声器的负输出电极而被引出。

更进一步地，所述驻极体传声器还可以包括：滤波电阻R2和滤波电容C3；

所述J-FET的漏极是通过滤波电阻R2连接所述正输出电极的，滤波电容C3并联于所述驻极体传声器的正输出电极和所述驻极体传声器的负输出电极之间。

本实用新型的另一目的在于提供一种音频采集电路，包括一驻极体传声器以及连接所述驻极体传声器的输出电路，所述驻极体传声器包括封装在一金属壳体中的声电转换电路和一连接所述声电转换电路的J-FET，所述驻极体传声器还包括电容C2，电容C2并联在所述J-FET的栅极和所述J-FET的源极之间。

进一步地，所述声电转换电路可以包括一金属极板和一驻极体振动膜片；所述J-FET的栅极连接所述金属极板，所述驻极体振动膜片的蒸金面与所述金属壳体连接，所述J-FET的源极与所述金属壳体连接，所述J-FET的漏极作为所述驻极体传声器的正输出电极而被引出，所述J-FET的源极作为所述驻极体传声器的负输出电极而被引出。

更进一步地，所述驻极体传声器还可以包括：滤波电阻R2和滤波电容C3；

所述J-FET的漏极是通过滤波电阻R2连接所述正输出电极的，滤波电容C3并联于所述驻极体传声器的正输出电极和所述驻极体传声器的负输出电极之间。

更进一步地，所述音频采集电路此时可集成于一移动通信终端中。

上述音频采集电路中，所述输出电路可以包括：电阻R3和电容C4；

电容C4的一端连接所述驻极体传声器的正输出电极，电容C4的另一端连接其它音频处理电路；电阻R3的一端连接所述驻极体传声器的正输出电极，电阻R3的另一端连接一正电压。

本实用新型的驻极体传声器是在J-FET的前端，即在J-FET的栅极和源极之间并联一电容，以提供经由J-FET的输入端的静电放电的泄放通路，达到对J-FET中PN结的保护，从而保护了J-FET的正常工作。相对于现有的保护方式，本实用新型的驻极体传声器的抗干扰能力更强，且成本低，有利于产品在多领域的应用。

附图说明

图1是现有技术提供的应用于移动通信终端中的驻极体传声器的电路图；

图2是本实用新型提供的驻极体传声器的一种电路图；

图3是本实用新型提供的驻极体传声器的另一种电路图；

图4a是图3的一种PCB板正面布线图；

图4b是图4a的PCB板反面布线图；