[实用新型]一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管

权利要求书

1.一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其特征在于，包括有从下往上依次纵向层叠生长的下电极、转移衬底、后置层、电流扩展层、第二限制层、发光单元、第一限制层、窗口层、上电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其特征在于，其后置层厚度范围在20-50微米。

3.根据权利要求1所述的一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其特征在于，在窗口层的上方还引入增透膜。

4.根据权利要求1所述的一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其特征在于，其发光单元的结构为p-n结，或p-i-n结，或双异质结构，或单量子阱结构，或多量子阱结构，超晶格结构或量子点发光结构，或多层量子点结构，或上述各种的任意组合结构。

5.根据权利要求1所述的一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其特征在于，其上电极的形状是圆形、星形、条形或插指形，压焊点直径范围是60-100μm。