[实用新型]台面型双向触发二极管有效
| 申请号： | 201220366682.4 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN202721130U | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 吴金姿;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 台面 双向 触发 二极管 | ||
1.台面型双向触发二极管，其特征在于：包括硅基片，在硅基片的上表面设有第一扩散层，在硅基片的下表面设有第二扩散层；在第一扩散层上设有第三扩散层，在第二扩散层上设有第四扩散层，第三扩散层、第一扩散层、硅基片、第二扩散层和第四扩散层依次排列形成对称性的导电结构；其中，第一扩散层和硅基片之间设有第一PN结，第二扩散层和硅基片之间设有第二PN结，第三扩散层和第一扩散层之间设有第三PN结，第四扩散层和第二扩散层之间设有第四PN结；上述第一PN结、第二PN结、第三PN结和第四PN结均为平面结。
2.如权利要求1所述的台面型双向触发二极管，其特征在于：台面型双向触发二极管上下表面各形成一个凸台，第一PN结、第二PN结、第三PN结和第四PN结均暴露在凸台四周侧壁上，凸台四周侧壁上覆盖有钝化层。
3.如权利要求1所述的台面型双向触发二极管，其特征在于：所述二极管上下表面均沉积有金属导电层。
4.如权利要求1所述的台面型双向触发二极管，其特征在于：第一PN结与第三PN结之间的距离等于第二PN结与第四PN结之间的距离，均为2～20微米。
5.如权利要求1所述的台面型双向触发二极管，其特征在于：第三扩散层、第一扩散层、硅基片、第二扩散层和第四扩散层对称性导电结构为N++/P+/N/P+/N++。
6.如权利要求1所述的台面型双向触发二极管，其特征在于：第三扩散层、第一扩散层、硅基片、第二扩散层和第四扩散层对称性导电结构为N++/P+/N/P+/N++。
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