[实用新型]一种宽输入电压范围反激电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种反激电路，尤其涉及应用于高压输入且输入电压范围宽的中小功率、多路输出的电源领域的反激电路。

背景技术

相对于正激变换器来说，反激变换器不需要输出滤波电感，结构简单，成本降低；相对于半桥变换器来说，反激变换器输入电压范围广，适合各种不同电压等级场合；相对于其他输入非隔离变换器来说，反击变换器输入输出电气隔离，安全可靠性高。但对于输入电压较高的场合，单管反激变换器的开关管要承受约两倍输入电压的高压，这对系统的可靠性和开关管的选择十分不利。采用双管反激变换器大大增加了开关管的电压应力，对于高压输入反激变换器效果明显。但目前双管反激拓扑多采用变压器驱动开关管，电路拓扑结构复杂，成本高，而且普通开关管损耗大。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种可为改善开关管损耗大，驱动电路复杂，成本高等问题的反激电路，其采用集成COOLMOS的电源芯片和外部COOLMOS串联，通过降价电阻和稳压管便轻松实现双管同时导通、关断。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种宽输入电压范围反激电路，主要包括一功率变换电路，一EMI滤波电路，一PWM控制器；EMI滤波电路经整流滤波后输入至功率变换电路，功率变换电路经整流滤波后输出，同时采集输出电信号经反馈环路至PWM控制器，PWM控制器调制脉宽后输入至EMI滤波电路以调整功率变换电路的输出。

所述的EMI滤波电路与功率变换电路还顺序连接输入过欠压保护电路、PWM控制器用以调整功率变换电路的输入电压。

所述的功率变换电路，为外部COOLMOS和内部集成MOSFET的电源芯片串联。

由EMI滤波电路、整流滤波后得到稳定的纹波较小的直流电压，经电阻降压后给电源芯片ICE2B265的VCC供电，IC发出高频脉冲信号控制开关管的导通与关断，反激变压器组成的功率变换电路起传递、储存能量和输入输出电气隔离的作用，通过光耦和TL431组成的反馈环路将反馈电压给IC，电源IC通过对反馈电压和原边电流比较处理，控制高频脉冲信号的频率和占空比从而使输出电压和电流稳定。

当电源芯片VCC达到其启动电压时，IC工作，内部MOSFET导通，从而使外部MOSFET的源极电压接近原边参考电压GND。与此同时外部MOSFET的栅极与源极产生电压差Vgs使其导通，栅极与源极间的稳压管将Vgs的最大值控制在15V之内。通过这种方式IC内部的开关管与外部开关管几乎同时导通；通过本实用新型能可靠、有效的增大开关管的电压应力，使双管反激变换器的拓扑更加简单，成本降低。由于采用COOLMOS使开关管的损耗也降低。

附图说明

图1为本实用新型的工作原理图。

具体实施方式

下面依据附图对本实用新型做进一步的详细说明：

如图1所示的一种宽输入电压范围反激电路：主要包括EMI电路、输入整流滤波、功率变换电路、输入过压欠保护电路、PWM控制器、输出整流滤波、反馈环路。

其中的EMI电路，主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源的干扰，同时也防止电源本身高频杂波对电网的影响。

输入整流滤波是将交流电压经整流及整流滤波电容后得到较纯净的直流电压，直接决定电压纹波的大小。

功率变换电路，采用反激拓扑，在开关管开通时，变压器储存能量；截止时传递能量。采用外部COOLMOS和内部集成MOSFET的电源芯片串联，提高开关管的电压应力。

输入过压欠保护电路，当输入电压过高或过低时，电源芯片内部自动调整，停止发脉冲，关断开关管。

PWM控制器，集成电源芯片内，根据反馈输出电压和原边峰值电流比较，调整PWM的占空比从而控制关开关的导通、关断时间，导通时间越长存储能量越多。

输出整流滤波，开关管导通时整流二极管受反向电压截止，仅在开关管关断时，输出整流滤波电路才工作。经整流二极管、滤波电容得到纹波较小的输出电压，π型滤波器器抑制高频干扰，输出DC12V。

采样，以TL431的2.5V为基准，通过两个采样电阻，采样输出电压的大小。

反馈环路，TL431和PC817组成的反馈环路，将输出电压信息反馈给PWM控制器，调整占空比，是输出电压稳定。

工作时，首先EMI滤波电路经整流滤波后输入至功率变换电路，功率变换电路经整流滤波后输出，同时采集输出电信号经反馈环路至PWM控制器，PWM控制器调制脉宽后输入至EMI滤波电路以调整功率变换电路的输出。