[实用新型]具有高出光效率的LED芯片有效
| 申请号： | 201220369657.1 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN202749410U | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山市银雨照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 高出光 效率 led 芯片 | ||
1.一种具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，包括自下而上依次设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，所述透明导电层上形成有P电极，所术N型半导体层上形成有N电极，所述P电极、N电极以及透明导电层上设置有钝化保护层。
2.根据权利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述钝化保护层为具有周期性微结构的钝化保护层。
3.根据权利要求1-2任一所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述钝化保护层为透明绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为具有周期性微结构的透明导电层。
5.根据权利要求1或4任一所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为金属材料或氧化物材料。
6.根据权利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层下还设置有衬底。
7.根据权利要求6所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅或硅的其中一种。
8.根据权利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层微结构的平面开关大致呈圆形或正六边形。
9.根据权利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1000A-5000A。
10.根据权利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述周期性微结构的钝化保护层的直径为1um-5um，厚度为50A-2000A。
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