[实用新型]一种平板阵列基板及传感器

权利要求书

1.一种平板阵列基板，其特征在于，该平板阵列基板包括：

基板及所述基板上方的栅极及栅极扫描线；

所述栅极及栅极扫描线上方的栅绝缘层，在所述栅绝缘层上方且对应栅极区域的第一有源层，所述第一有源层上方且对应栅极区域的源/漏电极层，以及所述栅绝缘层上方且对应非栅极区域的第二有源层，所述第二有源层上方的公共电极层；

所述第一有源层和所述源/漏电极层上方的第一钝化层，所述第二有源层和栅绝缘层上方的第二钝化层，所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的过孔；

所述第二钝化层及所述过孔上方的第一透明导电层；

所述第一钝化层及所述第一透明导电层上方的树脂层；

所述树脂层及所述过孔区上的第二透明导电层。

2.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述栅极及栅极扫描线的材料为钼、铝、钨、钛、铜的单金属层，或为钼、铝、钨、钛、铜中至少两个金属组成的复合金属层；

所述栅极及栅极扫描线的厚度为100nm～500nm。

3.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述源/漏电极层和所述公共电极层的材料为钼、铝、钨、钛、铜等单金属层，或为钼、铝、钨、钛、铜中至少两个金属组成的复合金属层；

所述源/漏电极层和所述公共电极层的厚度为100nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述栅绝缘层的材料为绝缘材料；

所述绝缘材料为氮化硅或氧化硅；

所述栅绝缘层的厚度为250nm～600nm。

5.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述第一有源层和所述第二有源层的材料为非晶硅；

所述第一有源层和所述第二有源层的厚度为30nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述第一钝化层与所述第二钝化层的材料为氮化硅或氧化硅；

所述第一钝化层与所述第二钝化层的厚度为150nm～2500nm。

7.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述第一透明导电层的材料为透明导电材料；

所述透明导电材料为ITO、或IZO、或ZAO；

第一透明导电层的厚度为30nm～120nm。

8.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述树脂层的材料为感光材料或非感光材料；

所述树脂层的厚度为1μm～4μm。

9.根据权利要求1所述的平板阵列基板，其特征在于，

所述第二透明导电层的材料为透明导电材料；

所述透明导电材料为ITO、或IZO、或ZAO；

所述第二透明导电层的厚度为30nm～120nm。

10.一种传感器，其特征在于，该传感器包括权利要求1至9任一项所述的平板阵列基板。