[实用新型]整体式碳化硅箱体有效
申请号: | 201220371510.6 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN202785975U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 张志军 | 申请(专利权)人: | 彩虹显示器件股份有限公司 |
主分类号: | C03B17/06 | 分类号: | C03B17/06 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 712021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整体 碳化硅 箱体 | ||
技术领域:
本实用新型属于TFT基板玻璃生产领域,具体涉及一种利用SiC材料具有优良的热传导率,形成均温导体的整体式SiC箱体。
背景技术:
SiC箱体是一种用于形成均温导体的装置,以往都是以分体式组装式SiC箱体。如图1所示,分别由支撑架、上托架、下托架、压片、SiC板1、SiC板2、SiC板3组成,三块SiC板装配,每块板上制作不同的台阶,用于装配时互相搭接咬合,上托架和下托架将SiC组件托起,用压片压紧固定,然后用支撑架连接装配为一个整体。
这种结构在实际应用中,SiC组件之间在搭接时有缝隙,尽管用SiC泥密封,但仍有漏风现象,对生产工艺扰动大,另外,此结构零件多,装配复杂。
实用新型内容:
针对上述缺陷或不足,本实用新型的目的在于提出一种新型的整体式SiC箱体。具体如下:
一种整体式碳化硅箱体结构,由托架、压板、一次成型整体式SiC箱体组成;托架将SiC箱体托起,压板压紧固定SiC箱体。一次成型整体式SiC箱体由SiC粉末通过等静压方式压制烧结成型。一次成型整体式SiC箱体呈凹形,三个部分通过压制烧结成型结合在一起。
本实用新型的有益效果是:本实用新型为整体式SiC箱体,无组装缝隙,解决了漏风现象,并且由于是整体式,去掉了上托架、下托架、压片3个零件,结构简单,装配也比原来容易。
附图说明:
图1是分体式组装式SiC箱体结构示意图。
图2是由3块板组装的SiC箱体结构示意图。
图3是整体式SiC箱体结构示意图。
图4是一次成型整体式SiC箱体示意图。
图中1.上托架;2.压板;3.SiC板1;4.SiC板2;5.SiC板3;6.下托架;7.SiC箱体;8.托架。
具体实施方式:
下面结合附图对本发明做详细描述。
如图3,4所示,整体式SiC箱体结构由托架、压板、一次成型整体式SiC箱体几个零件组成。一次成型整体式SiC箱体由SiC粉末通过等静压方式压制烧结成型。而原结构中,SiC箱体是由3块板组装而成,本实用新型通过零件形状的改变及提高材料烧制工艺,SiC板1、SiC板2、SiC板3三个零件就合为一次成型整体式SiC箱体一个零件,同时,由于原3块板组装的SiC箱体是组装件,需要支撑依托固定,原设计有上下托架、压片3个零件,而现在一次成型整体式SiC箱体只需要一个托架和压片就可以,上托架、下托架合为托架一个零件。
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