[实用新型]一种采用N型衬底的发光二极管有效
| 申请号： | 201220374252.7 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN202797055U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡建九;杨凯;林志伟;陈凯轩;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 衬底 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用N型衬底的发光二极管，包括N型GaAs衬底，其特征在于：在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的一种采用N型衬底的发光二极管，其特征在于：所述P型电流扩展层厚度为1～15um。
3.根据权利要求1所述的一种采用N型衬底的发光二极管，其特征在于：所述P型粗化层的厚度为0.3～5um。
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