[实用新型]直流降压稳流LED驱动电路结构

权利要求书

1.一种直流降压稳流LED驱动电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括具有反馈信号输入端的振荡电路模块、MOSFET晶体管（M1）、储能电路模块、LED发光二极管和具有反馈信号输出端的稳流电路模块，所述的具有反馈信号输入端的振荡电路模块具有方波信号输出端，该方波信号输出端连接MOSFET晶体管（M1）的栅极，MOSFET晶体管（M1）的漏极连接储能电路模块的输出端，储能电路模块的输入端连接LED发光二极管阴极，LED发光二极管阳极连接所述的具有反馈信号输出端的稳流电路模块的电源输出端，该稳流电路模块的反馈信号输出端连接所述的振荡电路模块的反馈信号输入端。

2.根据权利要求1所述的直流降压稳流LED驱动电路结构，其特征在于，所述的振荡电路模块包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第一PNP型三极管（Q1）、第二NPN型三极管（Q2）、第三PNP型三极管（Q3）和第四NPN型三极管（Q4）；所述的第一电阻（R1）的一端、第四电阻（R4）的一端、第一PNP型三极管（Q1）的发射极和第三PNP型三极管（Q3）的发射极均连接电源正极；第一电阻（R1）的另一端和第一电容（C1）的一端均连接第二NPN型三极管（Q2）的基极；第四电阻（R4）的另一端和第二电容（C2）的一端均连接第四NPN型三极管（Q4）的基极并形成该振荡电路模块的反馈信号输入端，连接所述的具有反馈信号输出端的稳流电路模块的反馈信号输出端；该第一电容（C1）的另一端、第二电阻（R2）的一端和第三PNP型三极管（Q3）的集电极均连接第四NPN型三极管（Q4）的集电极，形成该振荡电路模块的方波信号输出端，连接所述MOSFET晶体管（M1）的栅极；第二电容（C2）的另一端、第三电阻（R3）的一端和第一PNP型三极管（Q1）的集电极均连接第二NPN型三极管（Q2）的集电极；该第二电阻（R2）的另一端连接第一PNP型三极管（Q1）的基极；该第四电阻（R4）的另一端连接第三PNP型三极管（Q3）的基极；所述第二NPN型三极管（Q2）和第四NPN型三极管（Q4）均连接电源负极。

3.根据权利要求2所述的直流降压稳流LED驱动电路结构，其特征在于，所述MOSFET晶体管（M1）的栅极连接所述具有反馈信号输入端的振荡电路模块的方波信号输出端；MOSFET晶体管（M1）的漏极连接所述储能电路模块的输出端；MOSFET晶体管（M1）的源极连接电源负极。

4.根据权利要求3所述的直流降压稳流LED驱动电路结构，其特征在于，所述的储能电路模块包括第五电容（C5）、第一电感（L1）和第一二极管（D1）；所述的第五电容（C5）的一端连接所述的第一二极管（D1）的阴极；该第五电容（C5）的另一端连接所述的第一电感（L1）的一端形成该储能电路模块的输入端，连接所述LED发光二极管的阴极；该第一电感（L1）的另一端连接所述的第一二极管（D1）的阳极形成该储能电路模块的输出端，连接所述的驱动电路模块的电源输入端。

5.根据权利要求4所述的直流降压稳流LED驱动电路结构，其特征在于，所述的LED发光二极管的阳极连接所述具有反馈信号输出端的稳流电路模块的电源输出端，该LED发光二极管的阴极连接于所述的储能电路模块的输入端。

6.根据权利要求5所述的直流降压稳流LED驱动电路结构，其特征在于，所述的具有反馈信号输出端的稳流电路模块包括第五电阻（R5）、第六电阻（R6）和第五PNP型三极管（Q5），所述的第五电阻（R5）一端连接和第四PNP型三极管（Q5）的发射极共同连接电源正极，该第五电阻（R5）的另一端连接该第五PNP型三极管（Q5）的基极形成该具有反馈信号输出端的稳流电路模块的电源输出端，连接所述LED发光二极管的阳极；所述第六电阻（R6）的一端连接该第五PNP型三极管（Q5）的集电极，该第六电阻（R6）的另一端形成该具有反馈信号输出端的稳流电路模块的反馈信号输出端，并连接所述具有反馈信号输入端的振荡电路模块的反馈信号输入端。