[实用新型]正面副栅线电极结构有效
申请号: | 201220375794.6 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN202712203U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 刘伟;陈筑;詹国平;刘晓巍;蔡二辉;徐晓群 | 申请(专利权)人: | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315177 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正面 副栅线 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种可用于二次套印的正面副栅线电极结构。
背景技术
在太阳能电池的正面栅线电极中,副栅线的作用是收集光生载流子,为了降低串联电阻,其高宽比越大越好,而主栅线的作用主要是为了组件焊接,不承担收集电流的功能,无需追求高宽比。但主栅线和副栅线常用同一块网版印刷,追求副栅线高宽比的同时,主栅线的高度也会相应的增加,这就增加了银浆的使用量,增加了生产成本。
为降低银浆使用量,减少生产成本,国家知识产权局网站公开了一种二次套印工艺的专利申请文件,通过增加一道印刷工序来将正面电极的主栅线和副栅线拆分印刷,但是该专利申请文件只是提供了一种工艺,简单地将主栅线和副栅线分开印刷,而没有对正面栅线电极结构,尤其是正面副栅线电极结构进行重新设计,故在两次印刷的对位过程中,第二次套印的主栅线容易发生印刷偏移,造成组件焊接困难。另外当现有的正面副栅线电极结构的第一副栅线有断裂时,断裂段上的电流则无法传到正面主栅线电极结构的主栅线上。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,提供一种在二次套印过程中能够快速准确的对位印刷,且当第一副栅线有断裂时,该断裂段上的电流仍可传到正面主栅线电极结构的主栅线上的正面副栅线电极结构。
本实用新型的技术方案是,提供这样一种正面副栅线电极结构,它包括若干条与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线相交的第一副栅线,它还包括设有内嵌段和外露段的第三副栅线,所述的内嵌段与主栅线上相应的首段或末段叠交,所述的外露段与第一副栅线相交;所述的若干条第一副栅线的两端分别连接有第二副栅线,所述的若干条第一副栅线上的首条和末条第一副栅线与所述的第二副栅线首尾依次连接。
所述的第一副栅线等间距平行排列,所述的第三副栅线的外露段与第一副栅线垂直相交。
所述的第三副栅线比第一副栅线宽。
采用上述结构后,本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:第三副栅线具有对位印刷的功能,因第三副栅线设有内嵌段和外露段,且内嵌段与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线上相应的首段或末段叠交,故当二次套印印刷之后,查看第三副栅线的位置,便可判断主栅线是否存在左右偏移和旋转偏移,方便判断和调整主栅线的位置,另外第三副栅线的内嵌段保证了印刷存在轻微的上下偏移时仍能够保持第三副栅线与主栅线的充分接触,这样既能保证良好接触又利于组件的焊接。另外因设置有第二副栅线,故当第一副栅线有断裂时,第一副栅线端部断裂段上的电流可通过第二副栅线流到邻近的也与第二副栅线连接的第一副栅线上,最终流到主栅线上。
作为改进,所述的第一副栅线等间距平行排列,所述的第三副栅线的外露段与第一副栅线垂直相交,使成型后的正面副栅线电极结构整体布局规整,结构紧凑,且受光面积均匀,产生的光生载流子也分布均匀,提高了电池光电转换效率。
作为进一步改进,所述的第三副栅线比第一副栅线宽,降低了电流传输过程中的电阻。
附图说明
图1为本实用新型的正面副栅线电极结构的示意图。
图2为含有本实用新型的正面副栅线电极结构的正面栅线电极结构的示意图。
图中所示:11、第一副栅线,12、第二副栅线,13、第三副栅线,13a、外露段,13b、内嵌段,20、主栅线,21、首段,22、末段。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的正面副栅线电极结构作进一步说明。
参考图1和图2,第一次套印的正面副栅线电极结构和第二次套印的正面主栅线电极结构组成了正面栅线电极结构。
本实用新型的正面副栅线电极结构,它包括若干条与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线20相交的第一副栅线11。与现有技术不同的是,它还包括设有内嵌段13b和外露段13a的第三副栅线13。所述的内嵌段13b与主栅线20上相应的首段21或末段22叠交,而所述的外露段13a则与第一副栅线11相交。所述的若干条第一副栅线11的两端分别连接有第二副栅线12,所述的若干条第一副栅线11上的首条和末条第一副栅线与所述的第二副栅线12首尾依次连接。在本实施例中,所述的第一副栅线11的两端分别与相应的第二副栅线12垂直连接。
作为本实施例的改进方案:所述的第一副栅线11等间距平行排列,所述的第三副栅线13的外露段13a与第一副栅线11垂直相交;所述的第三副栅线13比第一副栅线11宽。
在本实施例中,因第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线20的数量可以至少为两条,在本实施例中优选为3条,故在本实施例中第三副栅线13的数量为6条,即每条主栅线20的首段21和末段22均叠交有一条第三副栅线13。另外在本实施例中,所述的第一副栅线11的宽度为50μm,第三副栅线13的宽度为180μm,第三副栅线13的内嵌部分13b的长度为2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的