[实用新型]物理气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型一般涉及半导体生产领域，特别涉及应用在物理气相沉积设备方面。

背景技术

半导体组件的形成一般是在一或多个处理腔室中执行，且该些处理腔室一般是结合以形成一在可控制的处理环境中处理多个半导体晶片的多腔室处理系统。为了维持工艺的一致以及确保处理腔室的最佳效能，会周期性地进行多种的调节（Condition）操作。举例来说，一通常实施于物理气相沉积处理腔室的调节操作为预烧（Burn-in）工艺，其中一靶材设置于该物理气相沉积处理腔室中，并透过等离子体的轰击（Bombard）而在执行半导体晶片工艺之前移除该靶材上的氧化物或其他污染物。另一种常实施的调节操作为贴合（Pasting）工艺，其中一覆盖层是涂布于处理腔室表面的沉积材料上，以预防该材料自该处理腔室表面剥落，并在接续工艺中污染半导体晶片。

请参考图1和图2，现有技术中物理气相沉积设备结构，一般包括以下部件：

提供有一内部容积的物理气相沉积腔室主体1；

在腔室主体内部侧壁提供一个自由旋转伸缩回腔室侧壁的快门手臂2；

在所述快门手臂2前端上放置一圆形遮盘3；

在腔室内部下端提供一个固定于基底撑5上的电子卡盘（electrical chuck）4；

在前述两种调节操作中，遮盘是通过传送快门手臂而设置于处理腔室中的半导体晶片支撑件——基底撑上电子卡盘的顶部，以预防任何物质沉积于该电子卡盘上。因此，该遮盘的形状对于该快门手臂搬运及放置的定位精准度，以及对电子卡盘的覆盖范围来说是很重要的，前述任何一者出错皆会导致调节操作的过程中，电子卡盘的上表面发生不期望的暴露情形。然而，在现有技术中，电子卡盘的表面经常会粘附一些沉积气体反应生成的沉积颗粒，从而影响电子卡盘对半导体晶片的吸力稳定性，使得半导体晶片出现位置偏移，进而导致半导体晶片破片等情形。

实用新型内容

本实用新型提出一种物理气相沉积设备，其目的在于：能够对电子卡盘进行吹拂净化，达到去除其表面沉积颗粒的目的，从而避免了由电子卡盘对半导体晶片吸附性不稳定而导致的半导体晶片出现位置偏移的问题，进而减少了导致半导体晶片破片情形的出现。

为了实现上述目的，本实用新型提出物理气相沉积设备，其主要部件包括：

一物理气相沉积腔室，一侧设有开口；

一基底撑，固定在所述物理气相沉积腔室内底部；

一电子卡盘，位于所述物理气相沉积腔室内并固定在所述基底撑顶部；

一快闪手臂，位于在所述物理气相沉积腔室设有开口的一侧，通过所述开口进出所述物理气相沉积腔室；

一遮盘，位于所述物理气相沉积腔室内并平放在所述快闪手臂前端的上表面；

一带小孔的圆形净化盘，位于所述物理气相沉积腔室内并固定在所述快闪手臂前端下表面，所述小孔朝向所述电子卡盘的上表面；

一净化气体管路，从所述开口伸入到所述物理气相沉积腔室中并与所述带小孔的圆形净化盘相接，连通所述小孔；

进一步地，所述遮盘的材质为铝或铝硅合金。

进一步地，所述带小孔的圆形净化盘的材质为铝或铝硅合金。

进一步地，所述小孔均匀分布在所述净化盘表面，个数大于等于5个，小孔直径为0.5mm~10mm。

进一步地，所述带小孔的圆形净化盘直径小于遮盘的直径，且大于或等于所述电子卡盘的直径。

进一步地，所述净化气体管路包括位于所述物理气相沉积腔室外的腔外部分、位于所述物理气相沉积腔室内的腔内部分以及连接所述腔外部分与腔内部分的金属软管。

进一步地，还包括一气源，置于所述物理气相沉积腔室外部。

进一步地，所述气源包括氩气管路、氮气管路和氢气和氩气混合管路。

进一步地，所述净化气体管路位于所述物理气相沉积腔室外的一端连接所述氩气管路或氮气管路。

进一步地，所述净化气体管路上还设有一个调节阀和一个手控阀。

进一步地，所述净化气体管路位于物理气相沉积腔室内部分通过焊接方式固定在所述快闪手臂下表面上。

进一步地，所述带小孔的圆形净化盘通过焊接方式固定在所述快闪手臂前端下表面。

进一步地，所述带小孔的圆形净化盘与所述快闪手臂前端一体成型。