[实用新型]芯片的电流检测电路

权利要求书

1.一种芯片的电流检测电路，其特征在于，包括：

栅极驱动电路，用于输出栅极驱动电压；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述栅极驱动电路连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接；

第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一NMOS管的漏极和电源电压连接；

第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接；

比较器，所述比较器的第一输入端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述比较器的第二输入端与所述第二电阻的第二端连接；

恒流源，所述恒流源的第一端与所述比较器的第二输入端连接，所述恒流源的第二输入端接地；以及

调整器件，所述调整器件的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述调整器件的第二端与所述第二电阻连接，所述调整器件的第三端与所述第一NMOS管的漏极和所述电源电压连接，用于根据所述第一NMOS管所处的不同工作区域进行调整以使得所述第一NMOS管处在不同工作区域时芯片的过流阈值相等，其中，所述不同区域包括饱和区和线性区。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述调整器件包括：

第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的漏极与所述电源电压连接，所述第三NMOS管的源极与所述第二电阻的第二端连接。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三NMOS管的导通电阻为所述第二NMOS管的导通电阻的m倍，所述第二电阻的阻值为所述第一电阻的阻值的m倍，所述第一NMOS管的导通电阻为所述第二NMOS管的导通电阻的1/n，其中，m为自然数，n为所述第一NMOS管的W/L与所述第二NMOS管的W/L的比，W代表NMOS管的宽，L代表NMOS管的长。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述比较器的第一输入端为负极，所述比较器的第二输入端为正极。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述比较器的第一输入端为正极，所述比较器的第二输入端为负极。 

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：

控制器件，与所述比较器的输出端连接，用于根据比较器输出端的输出电平控制芯片的其它电路执行相应的动作。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：

负载电路，与所述第一NMOS管的源极连接。