[实用新型]串联型薄膜太阳能电池组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池组件，尤其涉及串联型的薄膜太阳能电池组件。

背景技术

太阳能作为取之不尽、用之不竭的天然资源，具有无污染、安全性高、使用寿命长等特性，使得在新能源开发中太阳能光电产业备受市场和研究人员的关注。

目前一般常用的太阳能电池为硅晶太阳能电池或薄膜太阳能电池，其中薄膜太阳能电池具有成本低、厚度薄和电能功率耗损较少等优点，但是相对的其转换效率低，本领域通常采用改变半导体材料结构和将电池串联提升转换效率。

已有的串联式薄膜太阳能电池的结构，包括基板与多个半导体层构成，因此串联式薄膜太阳能电池的结构实际上为多个具备P-I-N半导体层的独立电池所串联形成的电池。然而这种结构的电池面临一种缺陷：其内部基板上导电薄膜厚度太厚导致薄膜表面粗糙，使射入串联式薄膜太阳能电池的光线分布不均，导致串联式薄膜太阳能电池内部产生微漏电效应。

发明内容

为了克服现有技术中的串联薄膜太阳能电池组件出现的漏电问题，本实用新型公开了一种新的串联型薄膜太阳能电池组件，通过结构改进，能够有效降低内部的漏电效应，提高光电转换效率。

为实现上述目的，本实用新型是通过下述技术方案实现的：

串联型薄膜太阳能电池组件，包括透明导电玻璃基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于透明导电玻璃基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶硅层接合。

通过上述结构，穿隧层与P型纳米晶硅层结合，提高了开路电压，限制了横向电流产生，同时不会影响到输出垂直电流的传递。从而有效抑制了漏电效应，提升其光电转换效率。

进一步的，所述P型纳米晶硅层上方设有I型纳米晶硅层；I型纳米晶硅层上方设有第二N型纳米晶硅层。

更进一步的，所述第二N型纳米晶硅层上方设有电极板。

其中，所述穿隧层为二氧化硅制成，所述穿隧层厚度为50-150nm，具有最优的阻断横向电流传递效能。

其中，所述电极板为银板或铝板。

本实用新型的串联型薄膜太阳能电池组件通过改变半导体层结构，通过P型层与穿隧层接合阻挡电池内部横向电流传递，降低串联式薄膜太阳能电池内部漏电效应，以提高光电转换效率。

附图说明

图1为本实用新型串联型薄膜太阳能电池组件结构示意图。

具体实施方式

参考附图1，本实用新型的串联型薄膜太阳能电池组件，包含透明导电玻璃基板1、P型非晶硅层2、I型非晶硅层3、N型纳米晶硅层4、穿隧层5、P型纳米晶硅层6、I型纳米晶硅层7、第二N型纳米晶硅层8和电极板9，在使用时太阳光从透明导电玻璃基板的丨侧照入，P型非晶硅层位于透明导电玻璃基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶硅层接合，设置在N型纳米晶硅层上方，I型纳米晶硅层设置在穿隧层与P型纳米晶硅层结合后的P型纳米晶硅层上方，第二N型纳米晶硅层设在I型纳米晶硅层上方，电极板设在第二N型纳米晶硅层上方。

其中所用的纳米晶硅层的硅粒子粒径通常在3-10nm之间。