[实用新型]芯片级封装声表面波器件

权利要求书

1.一种芯片级封装声表面波器件，其特征在于： 

在基板表面制作出声表面波器件的金属引出电极，和围绕器件的金属接地框；  

采用绝缘薄膜完全覆盖覆晶结构，使绝缘薄膜密接覆晶结构，并在覆晶结构处使倒置芯片有源区与基板表面间有一定间隔，均形成一空腔；

去除倒置芯片背面部分绝缘薄膜；

沿基板表面金属接地框内侧，将覆晶结构外的绝缘薄膜去除，覆晶结构仍被绝缘薄膜密接封闭；

在已部分覆盖绝缘薄膜的基板上，淀积全部覆盖的金属膜。

2.根据权利要求1所述的芯片级封装声表面波器件，其特征在于：所述金属膜是一种双层金属膜。

3.根据权利要求2所述的芯片级封装声表面波器件，其特征在于：所述双层金属膜的内层金属膜采用汽相淀积，所用金属是铝、钛、镍、铬和钨有较强附着力的金属。

4.根据权利要求2所述的芯片级封装声表面波器件，其特征在于：所述双层金属膜的外层金属膜采用蒸发、溅射、电镀或化学镀金属膜技术，所用金属是铜、银、金、铝和钨具有较高导电性能的金属。

5.根据权利要求1、2、3或者4所述的芯片级封装声表面波器件，其特征在于：所述金属膜外再采用塑料封装，提高器件可靠性。