[实用新型]视频输出滤波驱动器电路结构有效

专利信息
申请号: 201220399726.3 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN202713268U 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 袁巍;杨颖;黄立朝;陈继辉;程学农 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 视频 输出 滤波 驱动器 电路 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电路结构技术领域,特别涉及驱动器电路结构技术领域,具体是指一种视频输出滤波驱动器电路结构。

背景技术

如图1所示,为现有技术中的视频滤波驱动器输出端的电路结构图。从图1可以看出,视频滤波信号Signal通过与一参考信号Reg比较后输出S1和S2两路信号,S1、S2分别控制驱动器输出端的上PMOS管和下NMOS管的栅极。而对于沟长为L的MOS管来说,晶体管的电压-电流关系为:kn为工艺跨导参数,在饱和区时,因此,该视频滤波驱动器输出端的电流即为输出MOS对管P46和N35的电流。

该视频滤波驱动结构比较简单,但该结构存在一定缺陷,即当视频滤波信号确定,而由于工艺或信号传递的一致性偏差导致视频滤波驱动输出端电流偏大或偏小,使得整个芯片静态电流ICC异常,不符合设计规范。而通过调整视频驱动输出端对管面积来补偿改善ICC性能,作用并不明显,其次,输出管面积过小也会对输出管能力造成影响。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点,提供一种通过在视频滤波驱动器输出端增加负反馈结构,用以平衡输出端电流,进而有效改善静态电流ICC,提高视频图像驱动输出的稳定性,且结构简单,成本低廉,应用范围较为广泛的视频输出滤波驱动器电路结构。

为了实现上述的目的,本实用新型的视频输出滤波驱动器电路结构具有如下构成:

该视频输出滤波驱动器电路结构包括比较电路和输出端电路,视频信号接入端通过所述的比较电路连接所述的输出端电路,该电路结构还包括负反馈电路,所述的负反馈电路连接于所述的输出端电路。

该视频输出滤波驱动器电路结构中,所述的比较电路包括第一信号输出端S1和第二信号输出端S2;所述的输出端电路包括第一P型MOS场效应管P46和第一N型MOS场效应管N35;所述的第一信号输出端S1连接所述的第一P型MOS场效应管P46的栅极,所述的第二信号输出端S2连接所述的第一N型MOS场效应管N35的栅极;所述的第一P型MOS场效应管P46的源极连接电源;所述的第一N型MOS场效应管N35的源极接地;所述的第一P型MOS场效应管P46的漏极连接所述的第一N型MOS场效应管N35的漏极并形成所述的视频输出滤波驱动器电路结构的输出端;所述的负反馈电路连接所述的第一信号输出端S1和第二信号输出端S2,并连接于所述的第一P型MOS场效应管P46和第一N型MOS场效应管N35的源极。

该视频输出滤波驱动器电路结构中,所述的负反馈电路包括第二P型MOS场效应管P45、第三P型MOS场效应管P51、第四P型MOS场效应管P54、第二N型MOS场效应管N39、第三N型MOS场效应管N40、第一三极管T26、第二三极管T27、第三三极管T28、第四三极管T29、第五三极管T30、第六三极管T31、第一电阻R19、第二电阻R20和第三电阻R21,所述的第二P型MOS场效应管P45的源极、所述的第三P型MOS场效应管P51的源极、所述的第三三极管T28的集电极、所述的第五三极管T30的集电极和所述的第三电阻R21的一端均连接所述的电源,所述的第三电阻R21的另一端连接所述的第四P型MOS场效应管P54的源极,所述的第二P型MOS场效应管P45的漏极和所述的第四P型MOS场效应管P54的栅极均连接所述的第一信号输出端S1;所述的第三P型MOS场效应管P51的漏极和栅极相互连接,并连接所述的第二P型MOS场效应管P45的栅极和所述的第一三极管T26的集电极;所述的第四P型MOS场效应管P54的漏极分别连接所述的第三三极管T28的基极、第五三极管T30的基极和所述的第六三极管T31集电极;所述的第六三极管T31基极分别连接所述的第五三极管T30的发射极、第四三极管T29的基极和所述的第三N型MOS场效应管N40的漏极;所述的第三三极管T28的发射极分别连接所述的第四三极管T29的集电极、所述的第一三极管T26的基极、所述的第二三极管T27的基极和所述的第二N型MOS场效应管N39的漏极;所述的第二N型MOS场效应管N39的栅极、所述的第三N型MOS场效应管N40的栅极和所述的第二三极管T27的集电极均连接所述的第二信号输出端S2;所述的第一三极管T26的发射极、第二三极管T27的发射极、第四三极管T29的发射极和第六三极管T31的发射极均接地;所述的第二N型MOS场效应管N39的源极通过所述的第一电阻R19接地;所述的第三N型MOS场效应管N40的源极通过所述的第二电阻R20接地。

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