[实用新型]一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶有效

专利信息
申请号: 201220400967.5 申请日: 2012-08-14
公开(公告)号: CN202786410U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 李晨光 申请(专利权)人: 南昌欧菲光科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330000 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 中频 反应 磁控溅射 合金
【权利要求书】:

1.一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶,它包括基材(1)、真空镀膜室(2)、等离子体(4),其特征在于:在真空镀膜室(2)中两侧设置有反应气体入口(3),在真空镀膜室(2)内设置有屏蔽罩(6),孪生靶(5)位于屏蔽罩(6)内,在真空镀膜室(2)上设置有工艺气体入口(7)和光学探头(8),所述光学探头(8)与光电转换系统(9)连接,光电转换系统(9)与压电系统(10)连接;中频电源(11)与孪生靶(5)连接。

2.根据权利要求1所述的中频反应磁控溅射铟锡合金靶,其特征在于:在反应气体入口(3)连接有流量计(12)。

3.根据权利要求1所述的中频反应磁控溅射铟锡合金靶,其特征在于:孪生靶(5)的靶材为铟锡合金靶。

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