[实用新型]一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶有效
申请号: | 201220400967.5 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN202786410U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 李晨光 | 申请(专利权)人: | 南昌欧菲光科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中频 反应 磁控溅射 合金 | ||
1.一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶,它包括基材(1)、真空镀膜室(2)、等离子体(4),其特征在于:在真空镀膜室(2)中两侧设置有反应气体入口(3),在真空镀膜室(2)内设置有屏蔽罩(6),孪生靶(5)位于屏蔽罩(6)内,在真空镀膜室(2)上设置有工艺气体入口(7)和光学探头(8),所述光学探头(8)与光电转换系统(9)连接,光电转换系统(9)与压电系统(10)连接;中频电源(11)与孪生靶(5)连接。
2.根据权利要求1所述的中频反应磁控溅射铟锡合金靶,其特征在于:在反应气体入口(3)连接有流量计(12)。
3.根据权利要求1所述的中频反应磁控溅射铟锡合金靶,其特征在于:孪生靶(5)的靶材为铟锡合金靶。
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