[实用新型]一种半导体二极管结构有效

专利信息
申请号: 201220411190.2 申请日: 2012-08-17
公开(公告)号: CN202855743U 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 卢桦岗;林小青 申请(专利权)人: 中山市华星电源科技有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L23/40
代理公司: 中山市科创专利代理有限公司 44211 代理人: 谢自安
地址: 528400*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体二极管结构,其特征在于包括导电散热底板(1),所述导电散热底板(1)上连接有导电散热连接座(3),所述导电散热底板(1)与导电散热连接座(3)之间设有二极管芯片(9),所述导电散热底板(1)与导电散热连接座(3)之间设有绝缘支撑件(8),所述绝缘支撑件(8)设在二极管芯片(9)侧边,所述导电散热底板(1)与导电散热连接座(3)通过螺栓绝缘连接。

2.按权利要求1所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述导电散热连接座(3)设有用于接通线路的导通连接孔(4),用于与导电散热底板(1)固定连接的螺栓连接孔(31),所述螺栓连接孔(31)内套接有螺栓绝缘护套(10),所述导电散热底板(1)设有螺纹孔(12),连接螺栓(11)通过螺栓绝缘护套(10)与螺纹孔(12)配合连接。

3.按权利要求1或2所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述导电散热连接座(3)底部设有与二极管芯片(9)接触的凸起(33)。

4.按权利要求3所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述二极管芯片(9)与导电散热底板(1)采用焊接连接。

5.按权利要求1所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述绝缘支撑件(8)设有用于连接螺栓(11)穿过的导孔(81),所述绝缘支撑件(8)为陶瓷绝缘片。

6.按权利要求1所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述导电散热连接座(3)设有绝缘保护壳体(2),所述绝缘保护壳体(2)上设有用于填充环氧树脂的填充孔(21)。 

7.按权利要求1所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述导电散热连接座(3)呈圆柱体,所述圆柱体底部设有四个脚座(32),所述脚座(32)上设有与连接螺栓(11)配合的螺栓连接孔(31)。

8.按权利要求1所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述导电散热连接座(3)呈长方体,所述长方体设有四个脚座(32),所述脚座(32)上设有与连接螺栓(11)配合的螺栓连接孔(31)。

9.按权利要求1所述一种半导体二极管结构,其特征在于所述导电散热连接座(3)呈长方体,所述长方体设有两个脚座(32),所述每个脚座(32)设有两个与连接螺栓(11)配合的螺栓连接孔(31)。 

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