[实用新型]一种晶体硅太阳能电池组件有效
申请号: | 201220413195.9 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN202695468U | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 金刘 | 申请(专利权)人: | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213161 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 组件 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层(1)、N型硅层(2)、P型硅层(3)和正极层(4);所述负极层(1)的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅(11)以及与主栅(11)垂直且等间距分布的副栅(12);所述正极层(4)上具有背电极(41)和背电场(42);其特征在于:所述主栅(11)上均布有若干方形或菱形的小孔(111)。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述负极层(1)和正极层(4)均为银层。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述负极层(1)和N型硅层(2)之间还设有氮化硅减反射膜层(5)。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述氮化硅减反射膜层(5)和N型硅层(2)之间还设有第一二氧化硅钝化膜层(6)。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述P型硅层(3)和正极层(4)之间还设有第二二氧化硅钝化膜层(7)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的