[实用新型]一种晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201220413723.0 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN202736930U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 汤丹;王立建 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214200 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：
电池本体；
设置在所述电池本体受光面上的减反层；
设置所述减反层上的钝化层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反层包括：
设置在所述电池本体上的第一氮化硅薄膜；
设置在所述第一氮化硅薄膜上的第二氮化硅薄膜。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氮化硅薄膜的厚度为20nm-50nm，折射率为2-2.15。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二氮化硅薄膜的厚度为40nm-80nm，折射率为1.82-2。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅纳米棒阵列。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述二氧化硅纳米棒的直径为5nm-15nm，高度为30nm-100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
