[实用新型]超薄晶体硅太阳能电池板有效
申请号: | 201220414299.1 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN202758915U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 夏学军 | 申请(专利权)人: | 云南三奇光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
地址: | 675800 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超薄 晶体 太阳能 电池板 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种超薄型的晶体硅太阳能电池板。
背景技术
随着能源的日益短缺,可再生绿色能源的开发和利用越来越受到人们的关注,尤以太阳能的利用特别受到世人的青睐。作为太阳能转换媒介的太阳能电池板是太阳能发电系统中的核心部分,其作用是将太阳的辐射能力转换为电能,然后再将电能送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。
以硅作为主要原料的太阳能电池,根据其结晶性,分类成单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。其中,单晶硅太阳能电池是利用线锯将由结晶提拉而形成的单晶晶锭切成晶片状,加工成100um-200um厚度的晶片,然后在此晶片上形成pn结、电极、保护膜等,制成太阳能电池板。多晶硅则是利用铸模使熔融金属硅结晶化而制造多晶晶锭,将此晶锭与单晶硅太阳能电池同样地利用线锯切成晶片状,同样地做成100um-200um厚度的晶片,然后与单晶硅基板同样形成pn结、电极、保护膜等,制成太阳能电池板。
由于太阳能电池板属于户外安装部件,它的可靠性很大程度上取决于其防腐、耐老化、防潮、防冲击等性能,这就要求太阳能电池板的封装结构、边缘密封效果和组件背面封装板的质量达到一定的设计要求。目前现有技术中的太阳能电池板密封效果不理想,背面封装板质量达不到要求,不耐老化,电池片跟边框焊接时因电池片附着力不一和焊接过程中电烙铁温度不均匀导致焊接不牢靠,不能全面焊接到位,从而导致电流汇集缺漏,影响电池片的输出功率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提出一种超薄晶体硅太阳能电池板,其采用合理的结构设计,具有较好的密封效果,且硅片与铝合金方框板的安装较为牢靠。
为实现上述目的,本实用新型提供一种超薄晶体硅太阳能电池板,其包括数块硅片,其还包括一铝合金方框板,所述硅片与铝合金方框板均为正方形结构设置,该数块硅片均匀排列粘结设置于铝合金方框板内部。
本实用新型中,所述硅片可以为单晶硅片或多晶硅片。
具体的,所述硅片为尺寸为10cm×10cm的硅片。
所述铝合金方框板为尺寸为1m×1m的铝合金方框板。
本实用新型所述的数块硅片之间均通过胶体连粘在铝合金方框板内部。
本实用新型的超薄晶体硅太阳能电池板,其将单晶硅棒切成片,按照一定的尺寸,经胶体连粘在一铝合金方框版内,不仅具有较好的防腐、耐老化、防潮、防冲击等性能,且密封效果较为理想,硅片与铝合金方框板的安装较为牢靠,可以避免电流汇集缺漏,从而影响电池片输出功率的弊端。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的超薄晶体硅太阳能电池板一种具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,本实用新型提供一种超薄晶体硅太阳能电池板,其包括数块硅片10,其还包括一铝合金方框板20,所述硅片10与铝合金方框板20均为正方形结构设置,该数块硅片10均匀排列粘结设置于铝合金方框板20内部。
本实用新型中,所述硅片10可以为单晶硅片或多晶硅片。作为本实用新型的一种优选实施例,该硅片10与铝合金方框板20均采用直接设置的正方形结构,其可以使得硅片10的表面及更大,在利用本实用新型制成的电池拼装成电池组的时候,电池与电池之间的间隙几乎没有,因此,本实用新型相对于现有技术中的四角带圆弧的准方形硅片而言,还具有发电功率高,利用其制成电池后在拼装时安装空间的利用更为充分的优点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南三奇光电科技有限公司,未经云南三奇光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220414299.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的