[实用新型]局部放电超高频检测传感器有效
| 申请号： | 201220421368.1 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202758042U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 刘振东;吴灿;何舒阳;冯栩声 | 申请（专利权）人： | 杭州千目电力科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 局部 放电 超高频 检测 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种局部放电超高频检测传感器，包括端子箱(4)和底座(9)，其特征在于：
所述底座(9)紧密连接在端子箱(4)下部；
所述端子箱(4)内设有传感器筒体(7)；
所述传感器筒体(7)内设有导体(8)；
导体(8)连接终端电阻(5)；
所述底座(9)内设置有感应电极(6)。
2.如权利要求1所述的局部放电超高频检测传感器，其特征在于：所述导体(8)上连接有检测接头(3)。
3.如权利要求1所述的局部放电超高频检测传感器，其特征在于：所述导体(8)上连接有同轴电缆连接头(1)。
4.如权利要求1所述的局部放电超高频检测传感器，其特征在于：所述导体(8)与感应电极(6)相连。
5.如权利要求1所述的局部放电超高频检测传感器，其特征在于：所述的传感器筒体(7)外部设有外壳体(2)。
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