[实用新型]谐振型异或门振荡集成系统有效

专利信息
申请号: 201220424255.7 申请日: 2012-08-25
公开(公告)号: CN202798663U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 王艳 申请(专利权)人: 成都方拓科技有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 谐振 振荡 集成 系统
【权利要求书】:

1.谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于,主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2,与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R,与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路,与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路,以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。

2.根据权利要求1所述的谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于:所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q2,一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1,串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3,以及与电容C4相并联的电感L2组成;所述异或门集成芯片U1的输出端与电容C1和电容C2的连接点相连接,异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。

3.根据权利要求1或2所述的谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于:所述的振荡电路由场效应晶体管Q1,一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路,以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。

4.根据权利要求3所述的谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于:所述的耦合滤波电路由相互并联的电感L1和低频滤波电容CT组成。

5.根据权利要求3所述的谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于,所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F,以及与继电器K相并联的二极管D4组成,继电器K的常开触点则与电阻R相串接。

6.根据权利要求5所述的谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于:所述电阻R的阻值为4.7 KΩ。

7.根据权利要求2所述的谐振型异或门振荡集成系统,其特征在于:所述的电容C1、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。

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