[实用新型]多功能电子镇流保护电路

权利要求书

1.多功能电子镇流保护电路，其特征在于：由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的一级谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端相连接的升压保护电路，与升压保护电路输入端相连接的稳压滤波电路，与谐振保护电路的输出端相连接的自激高频电路，以及与该自激高频电路的输出端相连接的二级谐振保护电路组成。

2.根据权利要求1所述的多功能电子镇流保护电路，其特征在于：所述稳压滤波电路由电感L1、电感L2以及二极管D3和电容C1组成，所述二极管D3的N极和P极分别与电感L1和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C1的两端则分别与电感L1和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感L1处并联有二极管D1，在电感L2处并联有二极管D2。

3.根据权利要求2所述的多功能电子镇流保护电路，其特征在于：所述升压保护电路由相互串接的电阻R1和电容C2，一端连接在电阻R1和电容C2之间的双向触发二极管DB和二极管D4，以及串接在电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的一级反接保护电路组成；而该一级反接保护电路由依次串接的熔断器F、二极管D6和继电器K1，以及与继电器K1相并联的二极管D5组成；所述熔断器F与电阻R1之间的连接点通过继电器K1的常开触点与电感L1与电容C1的连接点相连接，而电容C2的另一端则与电容C1与电感L2的连接点相连接。

4.根据权利要求3所述的多功能电子镇流保护电路，其特征在于：所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Q1的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q1相并联的二极管D1组成；所述的耦合滤波电路由相互并联的电感L3和低频滤波电容CT组成；所述的一级谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容C1，串接在电容C1与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片U1的一个输入端经电阻R2后与双向触发二极管DB的输出端相连接，另一个输入端则与升压保护电路中的二极管D4的N极相连接，其输出端则与电容C1和电容C2的连接点相连接；异或门集成芯片U2的一个输入端与电阻R2与异或门集成芯片U1的连接点相连接，另一个输入端与升压保护电路中的电容C2的另一端相连接，其输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。

5.根据权利要求4所述的多功能电子镇流保护电路，其特征在于：所述的自激高频电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路；其中与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42，以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成；所述反接保护电路由顺次串接的继电器K2、二极管DT7、熔断器F2及电感线圈L41，以及与继电器K2相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K2的常开触点后与一级谐振保护电路中的电感L2的一端相连接，电感线圈L41和电感线圈L42的次级端则与一级谐振保护电路中的电感L2的另一端相连接。

6.根据权利要求5所述的多功能电子镇流保护电路，其特征在于：所述的二级谐振保护电路由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Q3的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Q3的漏极之间的电容C7，以及与电容C8相并联的电感L4组成。