[实用新型]半导体封装改善装置有效
申请号: | 201220425963.2 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN202871757U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 杨晓刚;刘建秋 | 申请(专利权)人: | 无锡世成晶电柔性线路板有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56;G02F1/1333 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 改善 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示器制造领域,尤其涉及一种薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT LCD)制造过程中所应用的半导体封装改善装置。
背景技术
随着电子科学技术的发展,LCD的厚度趋向超薄化已经成为一种不可避免的厚度。LCD的厚度取决于核心部件液晶的厚度。然,超薄化液晶的制造工艺复杂,且生产出的超薄化液晶的厚度差异大。液晶厚度差异大,导致在液晶在半导体封装阶段受力不均,液晶的报废率高。
实用新型内容
鉴于以上情况,有必要提供一种半导体封装改善装置,用于在液晶的半导体封装阶段,对液晶的厚度提供补偿,使液晶受力均匀,减少液晶报废率。
根据本实用新型的一个方面,提供的半导体封装改善装置,用于将集成电路封装至液晶,包括提供压迫力的压板、与压板配合的底座及设置于底座并位于压板及底座之间的厚度补偿元件,厚度补偿元件上设置液晶,用于对液晶的厚度进行补偿。
在一些实施方式中,底座包括本体、两个固定件、两个强磁片及多个固定件,固定件将固定片固定于本体的两相对侧,厚度补偿元件放置于本体的顶面,且两端延伸至两个固定片,两个强磁片吸附于固定片,以将厚度补偿元件的两端固定。
在一些实施方式中,强磁片的两相对端向上弯曲。
在一些实施方式中,厚度补偿元件由硅胶布与铁氟龙构成,铁氟龙设置于硅胶布上。
在一些实施方式中,硅胶布厚度为200um。
在一些实施方式中,铁氟龙厚度为12um。
在一些实施方式中,还包括缓冲材料,压板通过缓冲材料压着集成电路
本实用新型液晶半导体封装半导体封装改善装置通过在底座上设置厚度补偿元件,在压力的作用下,厚度补偿元件进入液晶厚度薄的地方,以对液晶的厚度形成补偿,使液晶受力均匀,降低液晶的报废率。
附图说明
图1为本实用新型半导体封装改善装置的一实施方式的示意图;
图2为图1中底座的立体结构分解示意图。
图3为图2中底座安装厚度补偿元件后的立体结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对实用新型作进一步的详细描述说明。
请参照图1至图3,本实用新型半导体封装改善装置应用于液晶半导体封装阶段,用于将集成电路101封装至液晶102上,其一实施例包括压板103、缓冲元件106、厚度补偿元件105及底座104。
缓冲元件106由硅胶布与铁氟龙构成。铁氟龙设置于硅胶布上。在其他实施方式中,缓冲元件106还可以由其他材料构成。
液晶102存有厚度差。
厚度补偿元件105由硅胶布与铁氟龙构成。铁氟龙设置于硅胶布上。其中,硅胶布的厚度为200um,铁氟龙的厚度为12um。
底座104包括本体201、多个固定件204、两个固定片202及两个强磁203。本体201两侧均设有两个固定孔205。每个固定片202设有两个通孔206。本实施方式中,固定孔205为螺孔,对应的固定件204为螺钉。本实施方式中,固定片202由铁制成。强磁203呈片状,其边角翘曲。
组装时,两个固定片202的通孔206正对本体201的固定孔205。固定件204穿过通孔206锁入固定孔205将固定片202固定于本体201。厚度补偿元件105放置于底座104的本体201的顶面,厚度补偿元件105的两端延伸至本体201的两侧,并覆盖固定片202。拉伸厚度补偿元件105的两端,使厚度补偿元件105平整。强磁203吸附于固定片202,使从而厚度补偿元件105固定。将半导体元件101放置于液晶102。缓冲元件106放置于半导体元件102上。压板103压住缓冲元件106。压板103的压力传送至液晶102,液晶102压着厚度补偿元件105。由于厚度补偿元件105由硅胶布与铁氟龙构成,且硅胶布为柔性产品,故在压力的作用下,硅胶布会被挤压从而去填补液晶102厚度薄的地方,从而保证液晶102的受力均衡,确保ACF(各项异性导电胶带)粒子的爆破导通。
在本实施方式中,在硅胶布上添加铁氟龙以避免硅胶布与液晶102直接接触,可以避免硅胶在高温下会产生硅胶油,导致液晶102污染。
在本实施方式中,使用200um的硅胶布能够保证完全填补液晶102厚度薄的地方且又不会由于添加硅胶布,使半导体封装改善装置内部温度升高;使用12um厚度的铁氟龙,可以减少对硅胶布缓冲的影响且不影响半导体封装改善装置的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造