[实用新型]一种快恢复二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件的制造工艺技术领域，特别是快恢复二极管芯片的制备方法。

背景技术

当今快恢复二极管芯片制造中较先进的技术是采用一定电阻率的N-型单面抛光片，背面扩散N++型半导体杂质，正面扩散P型半导体杂质的方法进行制备，其工艺步骤为：清洗、背面扩散、正面扩散、背面引入复合杂质中心、刻槽、玻璃钝化、光刻引线孔、镀膜、光刻金属膜及合金、背面镀膜、划片，该方法的不足之处为：产品的反向恢复特性差，反向恢复软度小。长期以来，在半导体器件制造领域，人们在结构设计、工艺改进、性能优化、成本降低、可靠性等方面，作出了不懈的努力。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种反向恢复时间短、反向恢复软度因子大的、质量稳定可靠的结构新颖的快恢复二极管芯片。

本实用新型包括N++结构层，在所述N++结构层的背面设置背面镀膜层，在N++结构层的正面设置N+结构层，在N+结构层的正面设置N-结构层，在N-结构层的正面设置P结构层，在P结构层的正面设置正面镀膜层；在正面镀膜层的两侧设置SiO₂层，在P结构层的两侧和N-结构层两侧的局部设置台面，在所述台面的外表面设置玻璃钝化层；所述SiO₂层与相应的所述玻璃钝化层相连续。

本实用新型可以通过两次磷扩散和一次硼扩散的工艺方法，提高产品的反向恢复特性，使产品的反向恢复时间减小，反向恢复软度大大提高，以进一步提高产品质量，满足用户的需求，扩大产品的使用范围。

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型在N++结构层1的背面设置背面镀膜层2，在N++结构层1的正面设置N+结构层3，在N+结构层3的正面设置N-结构层4，在N-结构层4的正面设置P结构层5，在P结构层5的正面设置正面镀膜层6。

在正面镀膜层6的两侧设置SiO₂层7。

在P结构层5的两侧和N-结构层4两侧的局部设置台面8，在台面8的外表面设置玻璃钝化层9。

SiO₂层7与相应的玻璃钝化层9相连续。