[实用新型]具有碳化硅保护层的蒸发坩埚有效
| 申请号： | 201220429011.8 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN202792947U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 何军舫;王军勇 | 申请（专利权）人： | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 |
| 主分类号： | F27B14/10 | 分类号： | F27B14/10;C04B41/87;C23C16/32 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 101101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 碳化硅 保护层 蒸发 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.具有碳化硅保护层的蒸发坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体具有内表面和外表面，其特征在于，至少内表面覆有碳化硅保护层。
2.根据权利要求1所述的具有碳化硅保护层的蒸发坩埚，其特征在于，所述内表面和外表面均具有碳化硅保护层。
3.根据权利要求1所述的具有碳化硅保护层的蒸发坩埚，其特征在于，所述碳化硅保护层的厚度为0.01-3mm。
4.根据权利要求1所述的具有碳化硅保护层的蒸发坩埚，其特征在于，所述碳化硅保护层通过化学气相沉积法覆于坩埚本体的表面。
5.根据权利要求1所述的具有碳化硅保护层的蒸发坩埚，其特征在于，所述坩埚本体为石墨或陶瓷制成。
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