[实用新型]具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚有效
申请号: | 201220429012.2 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN202792948U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 何军舫;王军勇 | 申请(专利权)人: | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 |
主分类号: | F27B14/10 | 分类号: | F27B14/10;C23C16/34 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 101101 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 氮化 保护层 蒸发 坩埚 | ||
技术领域
本实用新型涉及蒸发坩埚技术领域,具体地说是一种具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚。
背景技术
随着科技的发展,对材料质量,特别是纯度的要求也进一步提高。因此在使用坩埚在高温条件下进行蒸发时,要求坩埚在蒸发过程中不能有任何物质挥发出来,以免挥发出的物质混入被蒸发物质中形成杂质,影响材料的纯度及质量。为此,人们选用性质稳定的材料来制造坩埚,使其在高温条件下也不易挥发。另外,使坩埚表面更加致密,从而进一步阻止坩埚挥发出物质。但,现有的蒸发坩埚仍存在诸多问题。如制造成本与质量之间的矛盾,即选用较好的材料制造蒸发坩埚虽然性质稳定不易挥发,但原料成本和制造成本太高。
有鉴于上述现有的蒸发坩埚存在的诸多问题,本实用新型设计人依靠多年的工作经验和丰富的专业知识积极加以研究和创新,最终研发出一种具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚,不但有效控制物质挥发,而且成本低。
实用新型内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供了一种具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚,不但有效控制物质挥发,而且成本低。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用了如下技术方案:
具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体具有内表面和外表面,至少内表面覆有热解氮化硼保护层。
进一步,所述内表面和外表面均具有热解氮化硼保护层。
进一步,所述热解氮化硼保护层的厚度为0.01-3mm。
进一步,所述热解氮化硼保护层通过化学气相沉积法覆于坩埚本体的表面。
进一步,所述坩埚本体为石墨或陶瓷制成。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
本实用新型的具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚在表面覆有热解氮化硼保护层,由于热解氮化硼的性质在高温条件也极其稳定,所以在蒸发过程中不会挥发而影响蒸发所得材料的纯度。另外,热解氮化硼结构致密,有效地阻止了坩埚本体所含的物质的挥发,提高了高温条件下高温空间环境的纯净度,提高了高温蒸发生成材料的纯度,同时,由于只在坩埚本体的表面覆有一层热解氮化硼所以比单纯使用热解氮化硼蒸发坩埚的成本降低很多。
附图说明
图1为本实用新型的具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚的一种实施例的结构剖图;
图2为本实用新型的具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚的一种实施例的结构剖图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述,但不作为对本实用新型的限定。
图1和图2分别为本实用新型的具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚的两种实施例的结构剖图。如图1和图2所示,具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚,包括坩埚本体1,坩埚本体1具有内表面101和外表面102,内表面101覆有热解氮化硼保护层2(见图1)。图2显示了内表面和外表面均具有热解氮化硼保护层2的结构。一般在内表面101覆有热解氮化硼保护层2即可防止坩埚本体中的物质挥发混入被蒸发物质中。当然,在内表面和外表面均具有热解氮化硼保护层的效果更好。
作为上述实施例的优选,热解氮化硼保护层的厚度为0.01-3mm。热解氮化硼保护层的厚度越薄,成本就越低。厚度达到0.01mm即可有效阻止坩埚本体中的物质挥发。热解氮化硼保护层通过化学气相沉积法覆于坩埚本体的表面。坩埚本体为石墨或陶瓷制成。由于石墨和陶瓷的性质比较稳定,耐高温,所以在一定程度上也限制了坩埚本体中物质的挥发。
化学气相沉积(Chemical vapor deposition,简称CVD)是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其他气体引入反应室,在衬底材料表面生成薄膜的过程。本实用新型利用化学气相沉积法在坩埚表面覆上热解氮化硼保护层,易于实施。
热解氮化硼具有熔点高、导热、绝缘性能良好,抗弯强度高、抗热冲击性能好、耐化学腐蚀等特性,且热解氮化硼结构致密,在高温条件下性质稳定,是非常优异的蒸发器的表面涂层材料。有效阻止蒸发器物质挥发,提高了高温条件下高温空间环境的纯净度,提高了高温蒸发生成材料的纯度。同时,比单纯使用热解氮化硼蒸发器的成本降低很多。
以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例,不用于限制本实用新型,本实用新型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围内,对本实用新型做出各种修改或等同替换,这种修改或等同替换也应视为落在本实用新型的保护范围内。
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