[实用新型]一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板有效
申请号: | 201220432093.1 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN202730303U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 罗大伟;王临水;路忠林;林洪峰;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 廖曾 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 晶粒 铸造 多晶 新型 石墨 底板 | ||
1.一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,包括贴附在石英坩埚(1)底部的石墨底板(3),其特征在于:所述石墨底板(3)内镶嵌有若干均匀分布的冷源块(4),所述冷源块(4)为点冷源块或/和棱冷源块。
2.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:所述冷源块(4)的厚度与石墨底板(3)的厚度相等,且冷源块的两端面分别与石墨底板的上端面和下端面齐平,上端面为石墨底板(3)靠近石英坩埚(1)的一面,下端面为与上端面对称的面。
3.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:所述冷源块(4)的一端面与石墨底板(3)的上端面齐平,上端面为石墨底板(3)靠近石英坩埚(1)的一面。
4.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:所述冷源块(4)的一端面高于石墨底板(3)的上端面,上端面为石墨底板(3)靠近石英坩埚(1)的一面。
5.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:冷源块(4)为柱状形的点冷源块时,其横切面呈圆形或多边形。
6.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:冷源块(4)为棱冷源块时,其俯视方向的投影与纵横交叉连接的网格结构的俯视方向投影一致。
7.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:冷源块(4)为棱冷源块时,其俯视方向的投影与小圆外套大圆的俯视方向投影一致。
8.根据权利要求1所述的一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,其特征在于:冷源块(4)为棱冷源块时,其俯视方向的投影与小矩形外套大矩形的俯视方向投影一致。
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