[实用新型]一种多晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201220436325.0 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN202736936U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 吴海莲;范锡聪;吴姣姣 | 申请(专利权)人: | 海南英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 570000 海南*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种多晶硅太阳能电池。
背景技术
随着能源危机的日益凸显,开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题。由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点,研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向。晶体硅太阳能电池,即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品。
多晶硅太阳能电池是一种常见的晶体硅太阳能电池,目前光伏行业主要采用掺硼的P型多晶硅片(掺杂硼元素的多晶硅片)为基底制备多晶硅太阳能电池。所述掺硼的P型多晶硅片经过制绒、扩散制结、边缘刻蚀、去磷硅玻璃等工艺制备成一个电池本体,所述电池本体再经过印刷电极、烧结处理制备为一个太阳能电池。
虽然掺硼的多晶硅太阳能电池制作工艺较为简单,光电转化效率较高,但是其存在较大的功率衰减,即所述太阳能电池在光照条件下,电池的输出功率会不断的衰减并最终达到一个稳定功率。现有的多晶硅太阳能电池的功率衰减值在1%左右,其功率衰减较大,从而降低了太阳能电池的实际功率输出。因此,如何降低多晶硅太阳能电池的功率衰减是当前亟待解决的问题。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种多晶硅太阳能电池,所述多晶硅太阳能电池功率衰减小,能够保证太阳能电池具有较大的功率输出。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种多晶硅太阳能电池,所述太阳能电池包括:
P型多晶硅片制备的电池本体;
设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线;
设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线,所述主栅线与所述细栅线垂直;
其中,所述细栅线的线宽为50μm-60μm;所述细栅线的条数不少于70。
优选的,上述太阳能电池中,所述细栅线的条数为70-75。
优选的,上述太阳能电池中,所述电池本体的受光面的表面方块电阻为70Ω/sq-75Ω/sq。
优选的,上述太阳能电池中,所述电池本体厚度为180μm-200μm,边长为156mm×156mm。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的太阳能电池包括:P型多晶硅片制备的电池本体;设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线;设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线,所述主栅线与所述细栅线垂直;其中,所述细栅线的线宽为50μm-60μm;所述细栅线的条数不少于70。
本实用新型所提供的太阳能电池,将细栅线的线宽设置为50μm-60μm,可使得细栅线的条数增加到70以上。采用较小的线宽,在电池本体受光面上印刷较多的细栅线,缩短了细栅线之间的距离,减小了细栅线之间电流横向传输的距离,进而减小了太阳能电池的电阻。所以,所述结构的太阳能电池可由硼含量在3×1015atoms/cm3-4.5×1015atoms/cm3的P型多晶硅片制备而成,在使得太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种多晶硅太阳能电池的制作方法流程图;
图2为本实用新型实施例提供的一种多晶硅太阳能电池的受光面栅线分布图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述,现有的多晶硅太阳能电池存在较大的功率衰减,从而导致太阳能电池的有效输出功率较小。研究表明,在硼掺杂的多晶硅太阳能电池中,硼会与太阳能电池中的间隙氧原子形成硼氧复合体,所述复合体会复合少子,从而降低少子的寿命,所述复合体越多,少子的寿命降低的幅度越大,电池功率衰减就越明显。
一般可通过降低硼元素和/或氧元素的含量来降低太阳能电池中硼氧复合体的含量,以降低太阳能电池的功率衰减。但是,在多晶硅铸锭时,由于铸锭工艺条件的要求,采用的是二氧化硅石英坩埚,这样不可避免的会引入氧元素,即氧元素的含量不易控制。所以只能通过降低硼元素的含量来减少太阳电池中硼氧复合体的含量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的