[实用新型]一种网版型细栅线电池有效
申请号: | 201220437247.6 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN202749381U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 王桂奋;谢德兵;王迎春 | 申请(专利权)人: | 金坛正信光伏电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
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地址: | 213250 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 版型 细栅线 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片的领域,尤其是一种网版型细栅线电池。
背景技术
工业化生产的晶体硅太阳电池,采用丝网印刷烧结银导体作为上电极,通常被称作正面栅线,作为太阳能电池的重要生产工艺,正面栅线的丝网印刷技术直接影响着晶体硅太阳能电池的转换效率,所以在这种情况下,正面栅线形状的设计,银电极与晶体硅之间的接触电阻都成为了影响晶体硅电池的重要参数。
目前市场上一般采用的正面栅线形状是梳状栅线,即由两条主栅和多条细栅共同组成,其理想状态下的形状应当是将细栅线做的越细越密,既要保持良好的电流收集能力,同时又要减少其在电池上表面造成的遮光损耗。但是目前的丝网加工技术和导电银浆的生产工艺都存在着一定的技术瓶颈,无法达到最为理想的技术参数。当前大多数厂家生产的5英寸电池正面细栅的宽度约为120μm~140μm,细栅条数控制在40~50条左右,其电极栅线电阻大、栅线遮光面积大、功率损失高等缺陷。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服上述中存在的问题,提供了一种网版型细栅线电池,其设计结构合理并且提高晶体硅电池的转换效率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种网版型细栅线电池,包括电池片基体,所述的电池片基体的受光面上设置有复数条相互平行的细栅线和至少三条与细栅线相垂直的主栅线,相邻两细栅线之间的间距为5~8um,所述的细栅线的线宽为60~90um,主栅线的线宽为1000~1500um。
所述的主栅线的条数为五条。
为了能够提高电池的转换效率,相邻两细栅线之间的间距为6um。
所述的细栅线的线宽为75um,主栅线的线宽为1250um。
为了能够有效地提高电池效率,所述的细栅线的条数为50~80条。
本实用新型的有益效果是:所述的网版型细栅线电池,采用细栅线宽度为60~90um,能够有效的提高电池效率;将细栅线条数增加至50~80条,有效地缩短电流在硅片上的传输距离、降低损耗,同时将基体材料的表面掺杂浓度降低,减少了杂质的复合,可以大大提升了晶体硅电池的转换效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型所述的网版型细栅线电池的整体结构示意图。
附图中标记分述如下:1、电池片基体,2、细栅线,3、主栅线。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的网版型细栅线电池,包括电池片基体1,在电池片基体1的受光面上设置有75条相互平行的细栅线2和五条与细栅线2相垂直的主栅线3,相邻两主栅线3之间的间距相等,相邻两细栅线2之间的间距为6um,细栅线2的线宽为75um,主栅线3的线宽为1250um。
本实用新型的网版型细栅线电池,首先设计网版,突破传统网版印刷后的金属栅线宽度120-140um,增加金属栅线的准直性,从而减小网版印刷后的金属栅线的遮光面积,然后选取导电浆料,选取Ag原子活性低,不含铅,可适用于更细的栅线设计和方阻高于55-70Ω/sq的硅片的浆料,最后调试不同方块电阻,使硅片掺杂后方块电阻和金属栅线参数、浆料特性实现匹配,通过以上实验使最终的太阳能电池获得更高的转换效率。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的