[实用新型]OLED封装结构及发光器件有效
申请号: | 201220439198.X | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN202749419U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 朱儒晖;于军胜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 封装 结构 发光 器件 | ||
1.一种OLED封装结构,其特征在于,包括:衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层,所述OLED形成于所述衬底基板上,所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上。
2.根据权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于,所述阻隔层和所述光学调制层按照交替周期数交替形成于所述OLED之上,且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。
3.根据权利要求2所述的OLED封装结构,其特征在于,所述交替周期数为大于或等于1且小于或等于10的正整数。
4.根据权利要求1至3任一所述的OLED封装结构,其特征在于,所述光学调制层包括:网格层和位于所述网格层之上的填充层。
5.根据权利要求4所述的OLED封装结构,其特征在于,所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成,所述金属包括:银、铝或者银铝混合物,所述介质包括:二氧化硅或者氟化镁。
6.根据权利要求4所述的OLED封装结构,其特征在于,所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成,所述填充层的材料包括:二氧化钛、三氧化二铝、氧化锌、氧化镁或者氧化锆。
7.根据权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于,所述OLED包括:顶发射OLED或者双面发射OLED。
8.一种发光器件,其特征在于,包括权利要求1至7任一所述的OLED封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择