[实用新型]OLED封装结构及发光器件有效

专利信息
申请号: 201220439198.X 申请日: 2012-08-30
公开(公告)号: CN202749419U 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 朱儒晖;于军胜 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 封装 结构 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种OLED封装结构,其特征在于,包括:衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层,所述OLED形成于所述衬底基板上,所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上。

2.根据权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于,所述阻隔层和所述光学调制层按照交替周期数交替形成于所述OLED之上,且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。

3.根据权利要求2所述的OLED封装结构,其特征在于,所述交替周期数为大于或等于1且小于或等于10的正整数。

4.根据权利要求1至3任一所述的OLED封装结构,其特征在于,所述光学调制层包括:网格层和位于所述网格层之上的填充层。

5.根据权利要求4所述的OLED封装结构,其特征在于,所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成,所述金属包括:银、铝或者银铝混合物,所述介质包括:二氧化硅或者氟化镁。

6.根据权利要求4所述的OLED封装结构,其特征在于,所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成,所述填充层的材料包括:二氧化钛、三氧化二铝、氧化锌、氧化镁或者氧化锆。

7.根据权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于,所述OLED包括:顶发射OLED或者双面发射OLED。

8.一种发光器件,其特征在于,包括权利要求1至7任一所述的OLED封装结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220439198.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top