[实用新型]一种电磁炉炉板有效

专利信息
申请号: 201220445100.1 申请日: 2012-09-03
公开(公告)号: CN202813483U 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 陈合林 申请(专利权)人: 浙江爱仕达电器股份有限公司;浙江爱仕达生活电器有限公司
主分类号: F24C7/00 分类号: F24C7/00
代理公司: 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 代理人: 张建青;瞿浩明
地址: 317500 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁炉
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及厨房用炊具,具体地说是一种电磁炉炉板。 

背景技术

传统电磁炉通电工作产生的磁场除大部分被锅具吸收外,还有部分无效磁场(即多余磁场)向外释放,导致人体被辐射。为此,电磁炉上出现了多种防辐射的结构,其中的一种防辐射结构,其在面板的表面、侧面和底面涂覆导电层,形成导电区域,将电磁炉工作时产生的无效磁场从面板的表面经侧面导至底面,底面可以通过导线接大地,从而将无效磁场向外释放、消除,由于导电层的厚度一般较薄且不耐磨,使用时间长久后,特别是侧面与表面或底面连接处的导电层容易磨损,导致该连接处不导电,从而无法将无效磁场导至面板的底面,起不到防辐射的作用。申请号为200710109398.2的中国专利申请则公开了另外一种无辐射电磁炉的消辐射装置,其在支撑面板的辐射吸收层的接近电磁感应线盘位置留有一个大于电磁感应线盘外径的空间不涂覆辐射吸收层,该空间内放置一锅体触垫,电源线中的地线、辐射吸收层、锅体触垫和烹饪锅体之间形成一个完整的屏蔽罩体,当辐射吸收层内侧的电子电路产生电磁辐射就可以用屏蔽罩体进行屏蔽吸收,并通过电源线中的地线连接大地进行释放消除,但此技术方案需要在支撑面板上留一空间(即开通孔),这样会降低面板的强度,直接影响了电磁炉的使用寿命。 

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服上述现有技术存在的缺陷,提供一种既不影响电磁炉使用寿命又能有效起到防辐射作用的电磁炉炉板。 

为此,本实用新型采用的一种技术方案是:一种电磁炉炉板,包括面板,其特征在于,面板上形成导磁部,所述的导磁部为面板表层渗入纳米导电材料的区域。本技术方案的导磁部使电磁炉工作时产生的无效磁场从面板的上表面经侧面导至下表面,经导线或其他导电件接大地,消除电磁炉工作时无效磁场对人体的辐射伤害。因为纳米导电材料渗入面板表层,使面板的材料与纳米导电材料交融在一起,即使面板的侧面与上表面或下表面连接处有部分被磨损,也不影响导磁部导磁,使导磁部始终处于有效防辐射状态。 

作为优选,所述的导磁部呈连续的窄条状,其形成在面板的整个上表面、两侧面及下表面的两端。由于下表面的作用只是用于连接导线或其他导电件,故只需要下表面的两端导磁即可,节省材料和加工成本。 

本实用新型采用的另一种技术方案是:一种电磁炉炉板,包括面板,其特征在于,面板上形成导磁部,所述的导磁部为面板上下表面渗透纳米导电材料的局部区域。所述的局部区域呈窄条形、圆形或扇形。由于纳米导电材料从面板的上表面一直渗透到面板的下表面,面板的材料与纳米导电材料交融在一起,本技术方案的导磁部使电磁炉工作时产生的无效磁场从面板的上表面直接导至下表面,不受磨损的影响,不影响导磁部导磁,使导磁部始终处于有效防辐射状态。 

由于本实用新型不需要在面板上开孔和形成屏蔽罩体,保证了面板的强度且结构合理,不影响电磁炉的使用寿命。 

作为对上述二种技术方案的共有完善和补充,本实用新型采取以下技术措施: 

渗有纳米导电材料的面板上表面上涂覆金属导电层,金属导电层的材料可以采用银、铜、铝等金属材料,只要能起到导电作用即可。金属导电层可以使搁在电磁炉炉板上的平底锅具与其充分接触,确保平底锅具上的多余磁场(即无效磁场)导至渗有纳米导电材料的面板上。此金属导电层也可以被用作电磁炉的感温件,由于其直接与锅具的锅底接触,从而实现锅具底部的准确测温;克服了传统电磁炉的测温探头安装在面板内,没有直接与锅具接触,不能准确反映锅具底部的实际温度的缺陷。

所述金属导电层的厚度为0.01-1.5mm,此厚度比较适合实际的情况,既考虑到生产成本,又考虑到使用效果。 

所述的金属导电层可以呈连续或间断的线性分布。呈连续分布时,涂覆方便,但生产成本略高;呈间断分布时,生产成本较低,但涂覆略为不方便。 

所述的纳米导电材料为纳米级导电金属粉,如纳米级银粉、铜粉或铝粉等,也可以选用其他金属粉,只要能起到导电作用即可。导电材料为纳米级,方便渗入(透)加工且导磁效果好。 

所述的面板可以为陶瓷面板或微晶面板,也可以采用其他类似面板。 

本实用新型使电磁炉工作时产生的无效磁场从面板的上表面导至下表面,面板的下表面通过导线或其他导电件接大地,从而将无效磁场向外释放消除,确保了人体不被磁场辐射。 

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。 

图2为图1中A部的放大图。 

图3为本实用新型侧面的结构示意图。 

图4为图3中B部的放大图。 

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