[实用新型]新型上电复位电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路，尤其涉及一种新型上电复位电路。

背景技术

随着芯片集成度的不断提高，在片上系统设计中，单个芯片上集成的功能模块越来越多。上电复位电路时不可缺少的组成部分。上电复位电路提供给一个芯片内部的复位信号，在整个系统复位阶段，包装整个系统能够正确启动。传统的上电复位电路是利用RC充放电之路迟滞反相器进行上电复位信号的产生，该电路在电源电压稳定后，静态功耗为零。但是为了获得较理想的上电复位信号，通常情况下，电阻和电容的取值较大，不利于集成。

发明内容

本实用新型的目的就是提供一种结构简单的、可靠性高的上电复位电路。

本实用新型提供的技术方案是：

      新型上电复位电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、M1管、M2管、M3管及若干电阻，三极管Q1的集电极通过电阻R1接电源，三极管Q1的基极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接M1管的漏极，M1管的源极连接电源，M1管的栅极通过电阻R3连接电源，M1管的栅极同时连接三极管Q3的集电极，三极管Q3的集电极同时连接M2管和M3管的栅极，M2管的源极接电源，M2管的漏极连接M3管的漏极输出上电复位信号，M3管的源极、三极管Q3的发射极、三极管Q3的基极、三极管Q2的发射极、三极管Q1的发射极接地。

优选的，所述三极管Q2的发射极连接有电阻R4。

优选的，所述三极管Q3的基极连接有电阻R5。

优选的，所述M1管的漏极和源极之间并联有电阻R2，电阻R2的一端与电阻R5相连。

本实用新型实现复位的过程可以分为三个阶段：1，电源电压上升到三极管Q1和三极管Q2导通之前，M3管导通，上电复位信号输出为低电平；2电源电压上升到三极管Q1和三极管Q2导通之后，随着电源电压的不断增加，三极管Q3基极处的电压低于三极管Q3导通电压之前，复位信号一直维持低电平；3随着电源电压的上升，Q3的导通进入放大区，流过电阻R3的电流增大，使得M1管导通，产生漏极电流，使得M2管导通，复位信号由低电平拉为高电平，复位完成。

本实用新型电路结构新颖简单，起拉电压随着温度变化范围很小，性能稳定可靠。

附图说明

图1是本实用新型电路结构示意图。

具体实施方式

如图1所示为新型上电复位电路原理图，三极管Q1的集电极通过电阻R1接电源，三极管Q1的基极连接三极管Q2的基极。三极管Q2的集电极连接M1管的漏极，三极管Q2的发射极通过电阻R4接地。M1管的源极连接电源，M1管的栅极通过电阻R3连接电源，M1管的栅极同时连接三极管Q3的集电极。三极管Q3的基极通过电阻R5接地，三极管Q3的集电极同时连接M2管和M3管的栅极。M2管的源极接电源，M2管的漏极连接M3管的漏极输出上电复位信号，M3管的源极、三极管Q3的发射极、三极管Q1的发射极接地。

所述M1管的漏极和源极之间并联有电阻R2，电阻R2的一端与电阻R5相连。