[实用新型]一种多晶硅片制绒花蓝装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种盛放多晶硅片的装置，特别涉及一种多晶硅片制绒花蓝装置。

背景技术

多晶硅片目前主要采用化学腐蚀（酸性腐蚀）制绒方法，使用基于HF/HNO₃体系的酸性腐蚀液。一般将多晶硅片放置在花篮中，浸泡在制绒液内，花篮处于静止状态。由于在不同温度下，硅片的反应速度相差很大，反应温度越高反应速率越快，因此一般的制绒装置存在反应液和温度不均匀、制绒质量不理想的缺点，并且无法调整和改善绒面陷光性能。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅片制绒花蓝装置，能够通过对花篮旋转速度的调整，改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度，具有可以改善反应均匀性和制绒质量的特点。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种多晶硅片制绒花蓝装置，包括花篮1，在花篮1上设有悬挂装置2，花篮1通过悬挂装置2浸在酸性制绒液4中，悬挂装置2上接有电机3。

由于本实用新型中的电机旋转后可以带动花篮进行旋转动作，通过对旋转速度的调整，可以改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度，起到调整和改善绒面陷光性能的作用，所以具有可以改善反应均匀性和制绒质量的特点。

附图说明

附图为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述。

参见附图，一种多晶硅片制绒花蓝装置，包括花篮1，在花篮1上设有悬挂装置2，花篮1通过悬挂装置2浸在酸性制绒液4中，悬挂装置2上接有电机3。

本实用新型的工作原理是：

使用时，将多晶硅片放置在花篮1中，将花篮1浸在酸性制绒液4中，同时开启电机3，带动花篮1进行旋转动作，调整旋转的速度，进行化学腐蚀（酸性腐蚀）制绒。