[实用新型]参考电压产生电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种参考电压产生电路。 

背景技术

在电子电路里面，一般要设定一参考电压，通过参考电压来确定其他路电压相对于参考电压的相对值，以对电路产生作用。 

现有技术的参考电压在电路结构上一般比较大，研发和生产成本较高，而且参考电压的值不稳定。 

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种结构简单、电压值稳定的参考电压产生电路。 

本实用新型采用的技术方案是这样的：一种参考电压产生电路，该电路包括：P型的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管，第二电阻，第四电阻，第五电阻和运算放大器。其中，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的栅极均与运算放大器的输出端连接，源极均与电源电压连接；第一MOS管的漏极通过第二电阻接地，第二MOS管的漏极通过第四电阻接地，第三MOS管的漏极通过第五电阻接地；运算放大器的两个输入端分别连接第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极；电压输出端连接第三MOS管的漏极。 

在上述的电路中，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管为参数相同的MOS管。 

在上述的电路中，所述第二电阻、第四电阻和第五电阻为参数相同的电阻。 

具体的，本实用新型的参考电压产生电路中还包括第一电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管；所述第一二极管的负极端接地，正极端通过第一电阻连接至第一MOS管的漏极；所述第二二极管的负极端接地，正极端通过第三电阻连接至第二MOS管的漏极。作为优选，前述的第一电阻和第三电阻为参数相同的电阻，第一二极管和第二二极管为参数相同的二极管。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：该电路结构简单，可以降低研发及生产成本，产生的参考电压值也稳定。 

附图说明

图1是本实用新型参考电压产生电路的电路原理图。 

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。 

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。 

如图1所示，是本实用新型参考电压电路的电路原理图。 

一种参考电压产生电路，该电路包括：P型的第一MOS管P1、P型的第二MOS管P2、P型的第三MOS管P3，第二电阻R2，第四电阻R4，第五电阻R5和运算放大器。在本实用新型的技术方案中，第一MOS管P1、第二MOS管P2和第三MOS管P3为参数（各种电参数和温度特性等）相同的MOS管；第二电阻R2、第四电阻R4和第五电阻R5为参数（电阻值和温度特性等）相同的电阻。 

所述第一MOS管P1、第二MOS管P2和第三MOS管P3的栅极均与运算放大器的输出端连接，源极均与电源电压VDD连接；第一MOS管P1的漏极通过第二电阻R2接地，第二MOS管P2的漏极通过第四电阻R4接地，第三MOS管P3的漏极通过第五电阻R5接地；运算放大器的两个输入端分别连接第一MOS管P1的漏极和第二MOS管P2的漏极；电压输出端VOUT连接第三MOS管P3的漏极。 

作为优选，本实用新型的参考电压产生电路还包括第一电阻R1、第三电阻R3、第一二极管D1和第二二极管D2；所述第一二极管D1的负极端接地，正极端通过第一电阻R1连接至第一MOS管P1的漏极；所述第二二极管D2的负极端接地，正极端通过第三电阻R3连接至第二MOS管P2的漏极。 

其中，上述的第一电阻R1和第三电阻R3为参数（电阻值和温度特性等）相同的电阻；所述第一二极管D1和第二二极管D2为参数相同的二极管。 

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。